Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal
Die zusätzliche Schwellenspannung für schmale Kanäle ist als zusätzlicher Beitrag zur Schwellenspannung aufgrund von Schmalkanaleffekten im MOSFET definiert.
Symbol: ΔVT0(nc)
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Empirischer Parameter
Ein empirischer Parameter ist eine Konstante oder ein Wert, der in einem Modell, einer Gleichung oder einer Theorie verwendet wird und aus Experimenten und Beobachtungen abgeleitet und nicht theoretisch abgeleitet wird.
Symbol: k
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Vertikale Massenverarmung im Substrat
Vertikale Ausdehnung der Massenverarmung im Substrat bezieht sich auf die Tiefe des Verarmungsbereichs im Substrat (Masse) des MOSFET.
Symbol: xdm
Messung: LängeEinheit: μm
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Kanalbreite
Die Kanalbreite ist definiert als die physikalische Breite des Halbleiterkanals zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen innerhalb der Transistorstruktur.
Symbol: Wc
Messung: LängeEinheit: μm
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Oxidkapazität pro Flächeneinheit
Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt.
Symbol: Coxide
Messung: Oxidkapazität pro FlächeneinheitEinheit: μF/cm²
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Akzeptorkonzentration
Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Symbol: NA
Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Oberflächenpotential
Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.
Symbol: Φs
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Ladung eines Elektrons
Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.
Symbol: [Charge-e]
Wert: 1.60217662E-19 C
Permittivität des Vakuums
Die Permittivität des Vakuums ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die Fähigkeit eines Vakuums beschreibt, die Übertragung elektrischer Feldlinien zu ermöglichen.
Symbol: [Permitivity-vacuum]
Wert: 8.85E-12 F/m
Permittivität von Silizium
Die Permittivität von Silizium misst seine Fähigkeit, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern, was in der Halbleitertechnologie von entscheidender Bedeutung ist.
Symbol: [Permitivity-silicon]
Wert: 11.7