Fórmula Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI

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A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET. Verifique FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Tensão Limite Adicional de Canal Estreito?k - Parâmetro Empírico?x_dm - Depleção em massa de extensão vertical no substrato?W_c - Largura de banda?C_oxide - Capacitância de Óxido por Unidade de Área?N_A - Concentração do aceitante?Φ_s - Potencial de Superfície?[Charge-e] - Carga do elétron?[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?

Exemplo de Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Dica: Use o ícone de lápis () acima para editar valores de entrada e unidades.

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Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI?

Primeiro passo Considere a fórmula

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Próxima Etapa Converter unidades

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Próxima Etapa Avalie

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito

A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET.

Símbolo: ΔV_T0(nc)

Medição: Potencial elétricoUnidade: V