Formula VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto

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La tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto è definita come un contributo aggiuntivo alla tensione di soglia dovuto agli effetti a canale stretto nel MOSFET. Controlla FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto?k - Parametro empirico?x_dm - Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato?W_c - Larghezza del canale?C_oxide - Capacità di ossido per unità di area?N_A - Concentrazione dell'accettore?Φ_s - Potenziale di superficie?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?

Esempio di VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto con Valori.

Ecco come appare l'equazione VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto con unità.

Ecco come appare l'equazione VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Mancia: Utilizza l'icona della matita () in alto per modificare i valori di input e le unità.

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VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto?

Primo passo Considera la formula

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Passo successivo Converti unità

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Passo successivo Valutare

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto

La tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto è definita come un contributo aggiuntivo alla tensione di soglia dovuto agli effetti a canale stretto nel MOSFET.

Simbolo: ΔV_T0(nc)

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V