Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала определяется как дополнительный вклад в пороговое напряжение из-за эффектов узкого канала в MOSFET. Проверьте FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Дополнительное пороговое напряжение узкого канала?k - Эмпирический параметр?x_dm - Вертикальное масштабное истощение субстрата?W_c - ширина канала?C_oxide - Оксидная емкость на единицу площади?N_A - Концентрация акцептора?Φ_s - Поверхностный потенциал?[Charge-e] - Заряд электрона?[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?

Пример Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС выглядит как.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Кончик: Используйте значок карандаша () выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС?

Первый шаг Рассмотрим формулу

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Следующий шаг Оценивать

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Последний шаг Округление ответа

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала определяется как дополнительный вклад в пороговое напряжение из-за эффектов узкого канала в MOSFET.

Символ: ΔV_T0(nc)

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V