Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Narrow Channel Extra Threshold Voltage wordt gedefinieerd als een extra bijdrage aan de drempelspanning als gevolg van smalkanaaleffecten in MOSFET. Controleer FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Smal kanaal extra drempelspanning?k - Empirische parameter?x_dm - Verticale omvang van bulkdepletie in substraat?W_c - Kanaalbreedte?C_oxide - Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid?N_A - Acceptorconcentratie?Φ_s - Oppervlaktepotentieel?[Charge-e] - Lading van elektron?[Permitivity-vacuum] - Permittiviteit van vacuüm?[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium?

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Narrow Channel extra drempelspanning VLSI-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Narrow Channel extra drempelspanning VLSI-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Narrow Channel extra drempelspanning VLSI-vergelijking eruit ziet als.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Tip: Gebruik het potloodpictogram () hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » Narrow Channel extra drempelspanning VLSI

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Narrow Channel extra drempelspanning VLSI?

Eerste stap Overweeg de formule

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Volgende stap Vervang de waarden van constanten

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Volgende stap Eenheden converteren

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Volgende stap Evalueer

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Formule Elementen

Variabelen

Constanten

Functies

Smal kanaal extra drempelspanning

Narrow Channel Extra Threshold Voltage wordt gedefinieerd als een extra bijdrage aan de drempelspanning als gevolg van smalkanaaleffecten in MOSFET.

Symbool: ΔV_T0(nc)

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V