Voltaje de umbral adicional de canal estrecho VLSI Fórmula

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El voltaje de umbral adicional de canal estrecho se define como una contribución adicional al voltaje de umbral debido a los efectos de canal estrecho en MOSFET. Marque FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Voltaje de umbral adicional de canal estrecho?k - Parámetro empírico?x_dm - Agotamiento del volumen vertical en el sustrato?W_c - Ancho de banda?C_oxide - Capacitancia de óxido por unidad de área?N_A - Concentración de aceptor?Φ_s - Potencial de superficie?[Charge-e] - carga de electrones?[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío?[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio?

Ejemplo de Voltaje de umbral adicional de canal estrecho VLSI

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Voltaje de umbral adicional de canal estrecho VLSI con Valores.

Así es como se ve la ecuación Voltaje de umbral adicional de canal estrecho VLSI con unidades.

Así es como se ve la ecuación Voltaje de umbral adicional de canal estrecho VLSI.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Consejo: Utilice el icono de lápiz () de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Voltaje de umbral adicional de canal estrecho VLSI Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Voltaje de umbral adicional de canal estrecho VLSI?

Primer paso Considere la fórmula

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Próximo paso Convertir unidades

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Próximo paso Evaluar

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Último paso Respuesta de redondeo

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Voltaje de umbral adicional de canal estrecho VLSI Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Voltaje de umbral adicional de canal estrecho

El voltaje de umbral adicional de canal estrecho se define como una contribución adicional al voltaje de umbral debido a los efectos de canal estrecho en MOSFET.

Símbolo: ΔV_T0(nc)

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V