Formuła Dodatkowy próg napięcia wąskiego kanału VLSI

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Dodatkowe napięcie progowe wąskiego kanału definiuje się jako dodatkowy udział w napięciu progowym w wyniku efektów wąskiego kanału w MOSFET-ie. Sprawdź FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Wąski kanał Dodatkowe napięcie progowe?k - Parametr empiryczny?x_dm - Pionowy stopień zubożenia masy w podłożu?W_c - Szerokość kanału?C_oxide - Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni?N_A - Stężenie akceptora?Φ_s - Potencjał powierzchni?[Charge-e] - Ładunek elektronu?[Permitivity-vacuum] - Przenikalność próżni?[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu?

Przykład Dodatkowy próg napięcia wąskiego kanału VLSI

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Dodatkowy próg napięcia wąskiego kanału VLSI wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Dodatkowy próg napięcia wąskiego kanału VLSI wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Dodatkowy próg napięcia wąskiego kanału VLSI wygląda jak.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Wskazówka: Użyj ikony ołówka () powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Dodatkowy próg napięcia wąskiego kanału VLSI

Dodatkowy próg napięcia wąskiego kanału VLSI Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Dodatkowy próg napięcia wąskiego kanału VLSI?

Pierwszy krok Rozważ formułę

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Następny krok Zastępcze wartości stałych

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Następny krok Konwersja jednostek

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Następny krok Oceniać

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Dodatkowy próg napięcia wąskiego kanału VLSI Formuła Elementy

Zmienne

Stałe

Funkcje

Wąski kanał Dodatkowe napięcie progowe

Dodatkowe napięcie progowe wąskiego kanału definiuje się jako dodatkowy udział w napięciu progowym w wyniku efektów wąskiego kanału w MOSFET-ie.

Symbol: ΔV_T0(nc)

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V