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La conductance du canal est généralement définie comme le rapport du courant traversant le canal à la tension à travers celui-ci. Vérifiez FAQs
G=μs⋅Cox⋅WcL⋅(Vgs-Vth)
G - Conductance du canal?μs - Mobilité des électrons à la surface du canal?Cox - Capacité d'oxyde?Wc - Largeur de canal?L - Longueur du canal?Vgs - Tension grille-source?Vth - Tension de seuil?

Exemple Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source.

6.0724Edit=38Edit⋅940Edit⋅10Edit100Edit⋅(4Edit-2.3Edit)
Solution
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Maison » Ingénierie » Électronique » Électronique analogique » Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source ?

Premier pas Considérez la formule
G=μs⋅Cox⋅WcL⋅(Vgs-Vth)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ G=38m²/V*s⋅940μF⋅10μm100μm⋅(4V-2.3V)
L'étape suivante Convertir des unités
∴ G=38m²/V*s⋅0.0009F⋅1E-5m0.0001m⋅(4V-2.3V)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ G=38⋅0.0009⋅1E-50.0001⋅(4-2.3)
L'étape suivante Évaluer
∴G=0.0060724S
Dernière étape Convertir en unité de sortie
∴G=6.0724mS

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source Formule Éléments

Variables
Conductance du canal
La conductance du canal est généralement définie comme le rapport du courant traversant le canal à la tension à travers celui-ci.
Symbole: G
La mesure: Conductivité électriqueUnité: mS
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Mobilité des électrons à la surface du canal
La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d'un matériau semi-conducteur, tel qu'un canal en silicium dans un transistor.
Symbole: μs
La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Capacité d'oxyde
La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.
Symbole: Cox
La mesure: CapacitanceUnité: μF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Largeur de canal
La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).
Symbole: Wc
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Longueur du canal
La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).
Symbole: L
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension grille-source
La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Symbole: Vgs
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de seuil
La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Symbole: Vth
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette formule et 600+ autres formules !
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a vérifié cette formule et 1900+ autres formules !

Autres formules pour trouver Conductance du canal

​va Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET
G=1Rds

Autres formules dans la catégorie Tension

​va Gain de tension maximal au point de polarisation
Avm=2⋅Vdd-VeffVeff
​va Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions
Avm=Vdd-0.3Vt

Comment évaluer Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source ?

L'évaluateur Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source utilise Conductance of Channel = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil) pour évaluer Conductance du canal, La conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille-source est définie comme le rapport du courant ionique traversant le canal à la tension appliquée, peut être calculée une fois le courant, le nombre d'ions qui traversent le canal par unité de temps lorsqu'un champ électrique externe est appliqué au système. Conductance du canal est désigné par le symbole G.

Comment évaluer Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source, saisissez Mobilité des électrons à la surface du canal (μs), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur de canal (Wc), Longueur du canal (L), Tension grille-source (Vgs) & Tension de seuil (Vth) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Quelle est la formule pour trouver Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source ?
La formule de Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source est exprimée sous la forme Conductance of Channel = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil). Voici un exemple : 6072.4 = 38*0.00094*1E-05/0.0001*(4-2.3).
Comment calculer Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source ?
Avec Mobilité des électrons à la surface du canal (μs), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur de canal (Wc), Longueur du canal (L), Tension grille-source (Vgs) & Tension de seuil (Vth), nous pouvons trouver Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source en utilisant la formule - Conductance of Channel = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil).
Quelles sont les autres façons de calculer Conductance du canal ?
Voici les différentes façons de calculer Conductance du canal-
  • Conductance of Channel=1/Linear Resistance
Le Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source peut-il être négatif ?
Oui, le Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source, mesuré dans Conductivité électrique peut, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source ?
Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source est généralement mesuré à l'aide de millisiemens[mS] pour Conductivité électrique. Siemens[mS], mégasiemens[mS], Mho[mS] sont les quelques autres unités dans lesquelles Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source peut être mesuré.
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