FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

1

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning Formule

2

GanGeleiding in lineaire weerstand van MOSFET Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

De geleidbaarheid van een kanaal wordt meestal gedefinieerd als de verhouding van de stroom die door het kanaal gaat tot de spanning erover. Controleer FAQs

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

G - Geleiding van kanaal?μ_s - Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal?C_ox - Oxidecapaciteit?W_c - Kanaalbreedte?L - Kanaallengte?V_gs - Gate-bronspanning?V_th - Drempelspanning?

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning-vergelijking eruit ziet als.

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

6.0724mS = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

Tip: Gebruik het potloodpictogram () hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Oplossing

Kopiëren

Deel

Je bent hier -

Thuis » Engineering » Elektronica » Analoge elektronica » Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning?

Eerste stap Overweeg de formule

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

G = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

Volgende stap Eenheden converteren

∴

G = 38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot (4V - 2.3V)

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

G = 38 \cdot 0.0009 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot (4 - 2.3)

Volgende stap Evalueer

∴

G = 0.0060724S

Laatste stap Converteren naar de eenheid van uitvoer

∴

G = 6.0724mS

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning Formule Elementen

Variabelen

Geleiding van kanaal

De geleidbaarheid van een kanaal wordt meestal gedefinieerd als de verhouding van de stroom die door het kanaal gaat tot de spanning erover.

Symbool: G

Meting: Elektrische geleidingEenheid: mS

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal

De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van een kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om door het oppervlak van een halfgeleidermateriaal te bewegen of te reizen, zoals een siliciumkanaal in een transistor.

Symbool: μ_s

Meting: MobiliteitEenheid: m²/V*s

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Oxidecapaciteit

Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.

Symbool: C_ox

Meting: CapaciteitEenheid: μF

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Kanaalbreedte

Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).

Symbool: W_c

Meting: LengteEenheid: μm

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Kanaallengte

Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).

Symbool: L

Meting: LengteEenheid: μm

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Gate-bronspanning

Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.

Symbool: V_gs

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Drempelspanning

Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.

Symbool: V_th

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Credits

Creator Image

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze formule en 600+ andere formules gemaakt!

Verifier Image

Geverifieerd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze formule en 1900+ andere formules geverifieerd!

Andere formules om Geleiding van kanaal te vinden

Gan Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET

G = \frac{1}{R ds}

Andere formules in de categorie Spanning

Gan Maximale spanningsversterking op biaspunt

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

Gan Maximale spanningsversterking bij alle spanningen

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

Bekijk meer

Hoe Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning evalueren?

De beoordelaar van Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning gebruikt Conductance of Channel = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning) om de Geleiding van kanaal, De geleiding van het kanaal van MOSFET met behulp van Gate to Source-spanning wordt gedefinieerd als de verhouding van de ionische stroom door het kanaal tot de aangelegde spanning. Deze kan worden berekend zodra de stroom, het aantal ionen dat het kanaal per tijdseenheid doorkruist wanneer een extern elektrisch veld wordt toegepast op het systeem, te evalueren. Geleiding van kanaal wordt aangegeven met het symbool G.

Hoe kan ik Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning te gebruiken, voert u Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal (μ_s), Oxidecapaciteit (C_ox), Kanaalbreedte (W_c), Kanaallengte (L), Gate-bronspanning (V_gs) & Drempelspanning (V_th) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning

Wat is de formule om Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning te vinden?

De formule van Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning wordt uitgedrukt als Conductance of Channel = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning). Hier is een voorbeeld: 6072.4 = 38*0.00094*1E-05/0.0001*(4-2.3).

Hoe bereken je Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning?

Met Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal (μ_s), Oxidecapaciteit (C_ox), Kanaalbreedte (W_c), Kanaallengte (L), Gate-bronspanning (V_gs) & Drempelspanning (V_th) kunnen we Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning vinden met behulp van de formule - Conductance of Channel = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning).

Wat zijn de andere manieren om Geleiding van kanaal te berekenen?

Hier zijn de verschillende manieren om Geleiding van kanaal-

Conductance of Channel=1/Linear Resistance

te berekenen

Kan de Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning negatief zijn?

Ja, de Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning, gemeten in Elektrische geleiding kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning te meten?

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning wordt meestal gemeten met de Millisiemens[mS] voor Elektrische geleiding. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] zijn de weinige andere eenheden waarin Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning kan worden gemeten.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Polish

© 2024-2026. Developed & Maintained by softUsvista Inc.

Let Others Know

✖

WhatsApp

Copied!