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Fórmula Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

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IrCondutância na Resistência Linear do MOSFET Fórmula

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A condutância do canal é normalmente definida como a razão entre a corrente que passa pelo canal e a tensão através dele. Verifique FAQs

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

G - Condutância do Canal?μ_s - Mobilidade de elétrons na superfície do canal?C_ox - Capacitância de Óxido?W_c - Largura de banda?L - Comprimento do canal?V_gs - Tensão Gate-Fonte?V_th - Tensão de limiar?

Exemplo de Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source com valores.

Esta é a aparência da equação Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source com unidades.

Esta é a aparência da equação Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source.

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

6.0724mS = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

Dica: Use o ícone de lápis () acima para editar valores de entrada e unidades.

Solução

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Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source?

Primeiro passo Considere a fórmula

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

G = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

Próxima Etapa Converter unidades

∴

G = 38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot (4V - 2.3V)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

G = 38 \cdot 0.0009 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot (4 - 2.3)

Próxima Etapa Avalie

∴

G = 0.0060724S

Último passo Converter para unidade de saída

∴

G = 6.0724mS

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source Fórmula Elementos

Variáveis

Condutância do Canal

A condutância do canal é normalmente definida como a razão entre a corrente que passa pelo canal e a tensão através dele.

Símbolo: G

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Mobilidade de elétrons na superfície do canal

A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou viajarem através da superfície de um material semicondutor, como um canal de silício em um transistor.

Símbolo: μ_s

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Capacitância de Óxido

A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Largura de banda

A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Comprimento do canal

O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Tensão Gate-Fonte

A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_th

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Créditos

Creator Image

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta fórmula e mais 600+ fórmulas!

Verifier Image

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta fórmula e mais 1900+ fórmulas!

Outras fórmulas para encontrar Condutância do Canal

Ir Condutância na Resistência Linear do MOSFET

G = \frac{1}{R ds}

Outras fórmulas na categoria Tensão

Ir Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

Ir Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

Ver mais

Como avaliar Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source?

O avaliador Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source usa Conductance of Channel = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar) para avaliar Condutância do Canal, A condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source é definida como a razão entre a corrente iônica através do canal e a tensão aplicada, pode ser calculada uma vez que a corrente, o número de íons que atravessam o canal por unidade de tempo quando um campo elétrico externo é aplicado ao sistema. Condutância do Canal é denotado pelo símbolo G.

Como avaliar Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source, insira Mobilidade de elétrons na superfície do canal (μ_s), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura de banda (W_c), Comprimento do canal (L), Tensão Gate-Fonte (V_gs) & Tensão de limiar (V_th) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Qual é a fórmula para encontrar Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source?

A fórmula de Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source é expressa como Conductance of Channel = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar). Aqui está um exemplo: 6072.4 = 38*0.00094*1E-05/0.0001*(4-2.3).

Como calcular Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source?

Com Mobilidade de elétrons na superfície do canal (μ_s), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura de banda (W_c), Comprimento do canal (L), Tensão Gate-Fonte (V_gs) & Tensão de limiar (V_th) podemos encontrar Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source usando a fórmula - Conductance of Channel = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar).

Quais são as outras maneiras de calcular Condutância do Canal?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Condutância do Canal-

Conductance of Channel=1/Linear Resistance

O Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source pode ser negativo?

Sim, o Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source, medido em Condutância Elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source?

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source geralmente é medido usando Millisiemens[mS] para Condutância Elétrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] são as poucas outras unidades nas quais Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source pode ser medido.

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