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La conductancia del canal se define típicamente como la relación entre la corriente que pasa a través del canal y el voltaje que lo atraviesa. Marque FAQs
G=μs⋅Cox⋅WcL⋅(Vgs-Vth)
G - Conductancia del canal?μs - Movilidad de electrones en la superficie del canal.?Cox - Capacitancia de óxido?Wc - Ancho de banda?L - Longitud del canal?Vgs - Voltaje puerta-fuente?Vth - Voltaje de umbral?

Ejemplo de Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente con Valores.

Así es como se ve la ecuación Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente con unidades.

Así es como se ve la ecuación Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente.

6.0724Edit=38Edit⋅940Edit⋅10Edit100Edit⋅(4Edit-2.3Edit)
Solución
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Hogar » Ingenieria » Electrónica » Electrónica analógica » Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente?

Primer paso Considere la fórmula
G=μs⋅Cox⋅WcL⋅(Vgs-Vth)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
∴ G=38m²/V*s⋅940μF⋅10μm100μm⋅(4V-2.3V)
Próximo paso Convertir unidades
∴ G=38m²/V*s⋅0.0009F⋅1E-5m0.0001m⋅(4V-2.3V)
Próximo paso Prepárese para evaluar
∴ G=38⋅0.0009⋅1E-50.0001⋅(4-2.3)
Próximo paso Evaluar
∴G=0.0060724S
Último paso Convertir a unidad de salida
∴G=6.0724mS

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente Fórmula Elementos

variables
Conductancia del canal
La conductancia del canal se define típicamente como la relación entre la corriente que pasa a través del canal y el voltaje que lo atraviesa.
Símbolo: G
Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Movilidad de electrones en la superficie del canal.
La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o viajar a través de la superficie de un material semiconductor, como un canal de silicio en un transistor.
Símbolo: μs
Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Capacitancia de óxido
La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Símbolo: Cox
Medición: CapacidadUnidad: μF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Ancho de banda
El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).
Símbolo: Wc
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Longitud del canal
La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).
Símbolo: L
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje puerta-fuente
El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Símbolo: Vgs
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje de umbral
El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Símbolo: Vth
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta fórmula y 600+ fórmulas más!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta fórmula y 1900+ fórmulas más!

Otras fórmulas para encontrar Conductancia del canal

​Ir Conductancia en resistencia lineal de MOSFET
G=1Rds

Otras fórmulas en la categoría Voltaje

​Ir Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización
Avm=2⋅Vdd-VeffVeff
​Ir Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes
Avm=Vdd-0.3Vt

¿Cómo evaluar Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente?

El evaluador de Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente usa Conductance of Channel = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral) para evaluar Conductancia del canal, La conductancia del canal de MOSFET usando el voltaje de puerta a fuente se define como la relación entre la corriente iónica a través del canal y el voltaje aplicado, se puede calcular una vez que la corriente, la cantidad de iones que atraviesan el canal por unidad de tiempo cuando un campo eléctrico externo se aplica al sistema. Conductancia del canal se indica mediante el símbolo G.

¿Cómo evaluar Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente, ingrese Movilidad de electrones en la superficie del canal. (μs), Capacitancia de óxido (Cox), Ancho de banda (Wc), Longitud del canal (L), Voltaje puerta-fuente (Vgs) & Voltaje de umbral (Vth) y presione el botón calcular.

FAQs en Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente

¿Cuál es la fórmula para encontrar Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente?
La fórmula de Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente se expresa como Conductance of Channel = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral). Aquí hay un ejemplo: 6072.4 = 38*0.00094*1E-05/0.0001*(4-2.3).
¿Cómo calcular Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente?
Con Movilidad de electrones en la superficie del canal. (μs), Capacitancia de óxido (Cox), Ancho de banda (Wc), Longitud del canal (L), Voltaje puerta-fuente (Vgs) & Voltaje de umbral (Vth) podemos encontrar Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente usando la fórmula - Conductance of Channel = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral).
¿Cuáles son las otras formas de calcular Conductancia del canal?
Estas son las diferentes formas de calcular Conductancia del canal-
  • Conductance of Channel=1/Linear Resistance
¿Puede el Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente ser negativo?
Sí, el Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente, medido en Conductancia eléctrica poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente?
Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente generalmente se mide usando milisiemens[mS] para Conductancia eléctrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente.
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