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Formule Capacité de base du collecteur

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La capacité de la base du collecteur est simplement la capacité de la jonction collecteur-base comprenant à la fois la partie inférieure plate de la jonction et les parois latérales. Vérifiez FAQs

C cb = A \cdot \sqrt{\frac{q \cdot ε \cdot N b}{2 \cdot (ψ o + V rb)}}

C_cb - Capacité de base du collecteur?A - Zone de jonction de la base de l'émetteur?q - Charge?ε - Permittivité?N_b - Densité du dopage?ψ_o - Potentiel intégré?V_rb - Jonction de polarisation inverse?

Exemple Capacité de base du collecteur

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de base du collecteur avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de base du collecteur avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de base du collecteur.

138.6693 = 1.75 \cdot \sqrt{\frac{5 \cdot 71 \cdot 26}{2 \cdot (4.8 + 2.55)}}

138.6693μF = 1.75cm² \cdot \sqrt{\frac{5mC \cdot 71F/m \cdot 26electrons/m³}{2 \cdot (4.8V + 2.55A)}}

138.6693 = 1.75 \cdot \sqrt{\frac{5 \cdot 71 \cdot 26}{2 \cdot (4.8 + 2.55)}}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon () ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Solution

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Capacité de base du collecteur Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Capacité de base du collecteur ?

Premier pas Considérez la formule

C cb = A \cdot \sqrt{\frac{q \cdot ε \cdot N b}{2 \cdot (ψ o + V rb)}}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

C cb = 1.75cm² \cdot \sqrt{\frac{5mC \cdot 71F/m \cdot 26electrons/m³}{2 \cdot (4.8V + 2.55A)}}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

C cb = 0.0002m² \cdot \sqrt{\frac{0.005C \cdot 71F/m \cdot 26electrons/m³}{2 \cdot (4.8V + 2.55A)}}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

C cb = 0.0002 \cdot \sqrt{\frac{0.005 \cdot 71 \cdot 26}{2 \cdot (4.8 + 2.55)}}

L'étape suivante Évaluer

∴

C cb = 0.000138669270808881F

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

C cb = 138.669270808881μF

Dernière étape Réponse arrondie

∴

C cb = 138.6693μF

Capacité de base du collecteur Formule Éléments

Variables

Les fonctions

Capacité de base du collecteur

La capacité de la base du collecteur est simplement la capacité de la jonction collecteur-base comprenant à la fois la partie inférieure plate de la jonction et les parois latérales.

Symbole: C_cb

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Zone de jonction de la base de l'émetteur

La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.

Symbole: A

La mesure: ZoneUnité: cm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Charge

Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.

Symbole: q

La mesure: Charge électriqueUnité: mC

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Permittivité

La permittivité est une propriété physique qui décrit le degré de résistance qu'un matériau offre à la formation d'un champ électrique en son sein.

Symbole: ε

La mesure: PermittivitéUnité: F/m

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Densité du dopage

La densité de dopage est un processus dans lequel certains atomes d'impuretés, tels que le phosphore ou le bore, sont introduits dans le semi-conducteur pour modifier ses propriétés électriques.

Symbole: N_b

La mesure: Densité d'électronUnité: electrons/m³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Potentiel intégré

Le potentiel intégré affecte la taille de la région d'appauvrissement, qui à son tour influence la capacité de la jonction.

Symbole: ψ_o

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Jonction de polarisation inverse

La jonction de polarisation inverse fait référence à la condition dans un dispositif semi-conducteur, dans laquelle la tension appliquée aux bornes de la jonction s'oppose au flux normal de courant à travers le dispositif.

Symbole: V_rb

La mesure: Courant électriqueUnité: A

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

Crédits

Creator Image

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette formule et 25+ autres formules !

Verifier Image

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a vérifié cette formule et 500+ autres formules !

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Comment évaluer Capacité de base du collecteur ?

L'évaluateur Capacité de base du collecteur utilise Collector Base Capacitance = Zone de jonction de la base de l'émetteur*sqrt((Charge*Permittivité*Densité du dopage)/(2*(Potentiel intégré+Jonction de polarisation inverse))) pour évaluer Capacité de base du collecteur, La formule de capacité collecteur-base est définie dans un transistor à jonction bipolaire (BJT) et fait référence à la capacité entre le collecteur et les bornes de base du transistor. Cette capacité est due à la région d'appauvrissement et au stockage de charges dans le transistor. Capacité de base du collecteur est désigné par le symbole C_cb.

Comment évaluer Capacité de base du collecteur à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Capacité de base du collecteur, saisissez Zone de jonction de la base de l'émetteur (A), Charge (q), Permittivité (ε), Densité du dopage (N_b), Potentiel intégré (ψ_o) & Jonction de polarisation inverse (V_rb) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Capacité de base du collecteur

Quelle est la formule pour trouver Capacité de base du collecteur ?

La formule de Capacité de base du collecteur est exprimée sous la forme Collector Base Capacitance = Zone de jonction de la base de l'émetteur*sqrt((Charge*Permittivité*Densité du dopage)/(2*(Potentiel intégré+Jonction de polarisation inverse))). Voici un exemple : 1.4E+8 = 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55))).

Comment calculer Capacité de base du collecteur ?

Avec Zone de jonction de la base de l'émetteur (A), Charge (q), Permittivité (ε), Densité du dopage (N_b), Potentiel intégré (ψ_o) & Jonction de polarisation inverse (V_rb), nous pouvons trouver Capacité de base du collecteur en utilisant la formule - Collector Base Capacitance = Zone de jonction de la base de l'émetteur*sqrt((Charge*Permittivité*Densité du dopage)/(2*(Potentiel intégré+Jonction de polarisation inverse))). Cette formule utilise également la ou les fonctions Racine carrée (sqrt).

Le Capacité de base du collecteur peut-il être négatif ?

Non, le Capacité de base du collecteur, mesuré dans Capacitance ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de base du collecteur ?

Capacité de base du collecteur est généralement mesuré à l'aide de microfarades[μF] pour Capacitance. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de base du collecteur peut être mesuré.

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