Kollektorbasiskapazität
Die Kollektor-Basiskapazität ist einfach die Kapazität der Kollektor-Basis-Verbindung, einschließlich des flachen unteren Teils der Verbindung und der Seitenwände.
Symbol: Ccb
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Emitterbasis-Verbindungsbereich
Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.
Symbol: A
Messung: BereichEinheit: cm²
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Aufladung
Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Symbol: q
Messung: Elektrische LadungEinheit: mC
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Permittivität
Die Permittivität ist eine physikalische Eigenschaft, die beschreibt, wie viel Widerstand ein Material der Bildung eines elektrischen Feldes in seinem Inneren entgegensetzt.
Symbol: ε
Messung: PermittivitätEinheit: F/m
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Dopingdichte
Die Dotierungsdichte ist ein Prozess, bei dem bestimmte Verunreinigungsatome wie Phosphor oder Bor in den Halbleiter eingebracht werden, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern.
Symbol: Nb
Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/m³
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Eingebautes Potenzial
Das eingebaute Potenzial beeinflusst die Größe des Verarmungsbereichs, was wiederum die Kapazität des Übergangs beeinflusst.
Symbol: ψo
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Reverse-Bias-Kreuzung
Reverse Bias Junction bezieht sich auf den Zustand in einem Halbleiterbauelement, bei dem die an der Verbindungsstelle angelegte Spannung dem normalen Stromfluss durch das Bauelement entgegenwirkt.
Symbol: Vrb
Messung: Elektrischer StromEinheit: A
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.