Capacitância Base do Coletor
A capacitância da base do coletor é simplesmente a capacitância da junção da base do coletor, incluindo a parte inferior plana da junção e as paredes laterais.
Símbolo: Ccb
Medição: CapacitânciaUnidade: μF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Área de junção da base do emissor
A área de junção da base do emissor é uma junção PN formada entre o material do tipo P fortemente dopado (emissor) e o material do tipo N levemente dopado (base) do transistor.
Símbolo: A
Medição: ÁreaUnidade: cm²
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Cobrar
Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Símbolo: q
Medição: Carga elétricaUnidade: mC
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Permissividade
A permissividade é uma propriedade física que descreve quanta resistência um material oferece à formação de um campo elétrico em seu interior.
Símbolo: ε
Medição: permissividadeUnidade: F/m
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Densidade de dopagem
Densidade de dopagem é um processo no qual certos átomos de impureza, como fósforo ou boro, são introduzidos no semicondutor para alterar suas propriedades elétricas.
Símbolo: Nb
Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/m³
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Potencial integrado
O Potencial Construído afeta o tamanho da região de depleção, que por sua vez influencia a capacitância da junção.
Símbolo: ψo
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Junção de polarização reversa
Junção de polarização reversa refere-se à condição em um dispositivo semicondutor, onde a tensão aplicada através da junção se opõe ao fluxo normal de corrente através do dispositivo.
Símbolo: Vrb
Medição: Corrente elétricaUnidade: A
Observação: O valor deve ser maior que 0.