Capacitancia de la base del colector
La capacitancia de la base del colector es simplemente la capacitancia de la unión de la base del colector, incluida tanto la parte inferior plana de la unión como las paredes laterales.
Símbolo: Ccb
Medición: CapacidadUnidad: μF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Área de unión de la base del emisor
El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.
Símbolo: A
Medición: ÁreaUnidad: cm²
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Cargar
Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Símbolo: q
Medición: Carga eléctricaUnidad: mC
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Permitividad
La permitividad es una propiedad física que describe cuánta resistencia ofrece un material a la formación de un campo eléctrico en su interior.
Símbolo: ε
Medición: PermitividadUnidad: F/m
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Densidad de dopaje
La densidad de dopaje es un proceso en el que ciertos átomos de impureza, como fósforo o boro, se introducen en el semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas.
Símbolo: Nb
Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/m³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Potencial incorporado
El potencial incorporado afecta el tamaño de la región de agotamiento, lo que a su vez influye en la capacitancia de la unión.
Símbolo: ψo
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Unión de polarización inversa
La unión de polarización inversa se refiere a la condición en un dispositivo semiconductor, donde el voltaje aplicado a través de la unión se opone al flujo normal de corriente a través del dispositivo.
Símbolo: Vrb
Medición: Corriente eléctricaUnidad: A
Nota: El valor debe ser mayor que 0.