Capacità base del collettore
La capacità della base del collettore è semplicemente la capacità della giunzione collettore-base, inclusa sia la parte inferiore piatta della giunzione che le pareti laterali.
Simbolo: Ccb
Misurazione: CapacitàUnità: μF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Area di giunzione della base dell'emettitore
L'area di giunzione della base dell'emettitore è una giunzione PN formata tra il materiale di tipo P fortemente drogato (emettitore) e il materiale di tipo N leggermente drogato (base) del transistor.
Simbolo: A
Misurazione: La zonaUnità: cm²
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Carica
Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Simbolo: q
Misurazione: Carica elettricaUnità: mC
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Permittività
La permettività è una proprietà fisica che descrive quanta resistenza offre un materiale alla formazione di un campo elettrico al suo interno.
Simbolo: ε
Misurazione: PermittivitàUnità: F/m
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Densità del doping
La densità di drogaggio è un processo in cui alcuni atomi di impurità, come fosforo o boro, vengono introdotti nel semiconduttore per alterarne le proprietà elettriche.
Simbolo: Nb
Misurazione: Densità elettronicaUnità: electrons/m³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Potenziale incorporato
Il potenziale incorporato influisce sulla dimensione della regione di svuotamento, che a sua volta influenza la capacità della giunzione.
Simbolo: ψo
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Giunzione con polarizzazione inversa
La giunzione con polarizzazione inversa si riferisce alla condizione in un dispositivo a semiconduttore, in cui la tensione applicata attraverso la giunzione si oppone al normale flusso di corrente attraverso il dispositivo.
Simbolo: Vrb
Misurazione: Corrente elettricaUnità: A
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.