FormulaDen logo
FormulaDen.com
Search
भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI सूत्र

Fx कॉपी करा
LaTeX कॉपी करा
अरुंद चॅनेल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज MOSFET मध्ये अरुंद-चॅनेल प्रभावांमुळे थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये अतिरिक्त योगदान म्हणून परिभाषित केले आहे. FAQs तपासा
ΔVT0(nc)=(k⋅xdmWc⋅Coxide)⋅(2⋅[Charge-e]⋅NA⋅[Permitivity-vacuum]⋅[Permitivity-silicon]⋅|2⋅Φs|)
ΔVT0(nc) - अरुंद चॅनेल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज?k - प्रायोगिक मापदंड?xdm - सब्सट्रेटमध्ये उभ्या प्रमाणात मोठ्या प्रमाणात कमी होणे?Wc - चॅनेल रुंदी?Coxide - प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स?NA - स्वीकारणारा एकाग्रता?Φs - पृष्ठभाग संभाव्य?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज?[Permitivity-vacuum] - व्हॅक्यूमची परवानगी?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉनची परवानगी?

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI उदाहरण

मूल्यांसह
युनिट्ससह
फक्त उदाहरण

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

2.3825Edit=(1.57Edit⋅1.25Edit2.5Edit⋅0.0703Edit)⋅(2⋅1.6E-19⋅1E+16Edit⋅8.9E-12⋅11.7⋅|2⋅6.86Edit|)
उपाय
कॉपी करा
रीसेट करा
शेअर करा
आपण येथे आहात -
HomeIcon मुख्यपृष्ठ » Category अभियांत्रिकी » Category इलेक्ट्रॉनिक्स » Category व्हीएलएसआय फॅब्रिकेशन » fx अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI उपाय

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा
ΔVT0(nc)=(k⋅xdmWc⋅Coxide)⋅(2⋅[Charge-e]⋅NA⋅[Permitivity-vacuum]⋅[Permitivity-silicon]⋅|2⋅Φs|)
पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये
∴ ΔVT0(nc)=(1.57⋅1.25μm2.5μm⋅0.0703μF/cm²)⋅(2⋅[Charge-e]⋅1E+161/cm³⋅[Permitivity-vacuum]⋅[Permitivity-silicon]⋅|2⋅6.86V|)
पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला
∴ ΔVT0(nc)=(1.57⋅1.25μm2.5μm⋅0.0703μF/cm²)⋅(2⋅1.6E-19C⋅1E+161/cm³⋅8.9E-12F/m⋅11.7⋅|2⋅6.86V|)
पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा
∴ ΔVT0(nc)=(1.57⋅1.3E-6m2.5E-6m⋅0.0007F/m²)⋅(2⋅1.6E-19C⋅1E+221/m³⋅8.9E-12F/m⋅11.7⋅|2⋅6.86V|)
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा
∴ ΔVT0(nc)=(1.57⋅1.3E-62.5E-6⋅0.0007)⋅(2⋅1.6E-19⋅1E+22⋅8.9E-12⋅11.7⋅|2⋅6.86|)
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा
∴ΔVT0(nc)=2.38246289976913V
शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर
∴ΔVT0(nc)=2.3825V

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI सुत्र घटक

चल
स्थिरांक
कार्ये
अरुंद चॅनेल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
अरुंद चॅनेल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज MOSFET मध्ये अरुंद-चॅनेल प्रभावांमुळे थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये अतिरिक्त योगदान म्हणून परिभाषित केले आहे.
चिन्ह: ΔVT0(nc)
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
अरुंद चॅनेल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज शोधण्यासाठी सूत्रेOpen Variable
प्रायोगिक मापदंड
प्रायोगिक मापदंड हे मॉडेल, समीकरण किंवा सिद्धांतामध्ये वापरलेले स्थिर किंवा मूल्य आहे जे सैद्धांतिकरित्या काढले जाण्याऐवजी प्रयोग आणि निरीक्षणातून घेतले जाते.
चिन्ह: k
मोजमाप: NAयुनिट: Unitless
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
प्रायोगिक मापदंड शोधण्यासाठी सूत्रेOpen Variable
सब्सट्रेटमध्ये उभ्या प्रमाणात मोठ्या प्रमाणात कमी होणे
सब्सट्रेटमधील व्हर्टिकल एक्स्टेंट बल्क डिप्लिशन म्हणजे MOSFET च्या सब्सट्रेटमध्ये (मोठ्या प्रमाणात) कमी होण्याच्या क्षेत्राची खोली.
चिन्ह: xdm
मोजमाप: लांबीयुनिट: μm
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
सब्सट्रेटमध्ये उभ्या प्रमाणात मोठ्या प्रमाणात कमी होणे शोधण्यासाठी सूत्रेOpen Variable
चॅनेल रुंदी
चॅनेलची रुंदी ट्रान्झिस्टर संरचनेतील स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील सेमीकंडक्टर चॅनेलची भौतिक रुंदी म्हणून परिभाषित केली जाते.
चिन्ह: Wc
मोजमाप: लांबीयुनिट: μm
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
चॅनेल रुंदी शोधण्यासाठी सूत्रेOpen Variable
प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
ऑक्साईड कॅपॅसिटन्स प्रति युनिट क्षेत्रफळ हे सेमीकंडक्टर मटेरियलपासून मेटल गेट वेगळे करणाऱ्या इन्सुलेटिंग ऑक्साईड लेयरच्या प्रति युनिट क्षेत्रफळाची कॅपेसिटन्स म्हणून परिभाषित केले जाते.
चिन्ह: Coxide
मोजमाप: ऑक्साइड कॅपेसिटन्स प्रति युनिट क्षेत्रयुनिट: μF/cm²
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स शोधण्यासाठी सूत्रेOpen Variable
स्वीकारणारा एकाग्रता
स्वीकारणारा एकाग्रता अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये स्वीकारणारा डोपंट अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.
चिन्ह: NA
मोजमाप: वाहक एकाग्रतायुनिट: 1/cm³
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
स्वीकारणारा एकाग्रता शोधण्यासाठी सूत्रेOpen Variable
पृष्ठभाग संभाव्य
पातळ-फिल्म ट्रान्झिस्टरच्या DC गुणधर्माचे मूल्यमापन करण्यासाठी पृष्ठभाग संभाव्यता हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे.
चिन्ह: Φs
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
पृष्ठभाग संभाव्य शोधण्यासाठी सूत्रेOpen Variable
इलेक्ट्रॉनचा चार्ज
इलेक्ट्रॉनचा चार्ज हा एक मूलभूत भौतिक स्थिरांक आहे, जो इलेक्ट्रॉनद्वारे वाहून घेतलेल्या विद्युत शुल्काचे प्रतिनिधित्व करतो, जो ऋणात्मक विद्युत शुल्कासह प्राथमिक कण आहे.
चिन्ह: [Charge-e]
मूल्य: 1.60217662E-19 C
व्हॅक्यूमची परवानगी
व्हॅक्यूमची परवानगी ही एक मूलभूत भौतिक स्थिरता आहे जी विद्युत क्षेत्र रेषांच्या प्रसारणास परवानगी देण्यासाठी व्हॅक्यूमच्या क्षमतेचे वर्णन करते.
चिन्ह: [Permitivity-vacuum]
मूल्य: 8.85E-12 F/m
सिलिकॉनची परवानगी
सिलिकॉनची परवानगी विद्युत क्षेत्रामध्ये विद्युत ऊर्जा संचयित करण्याची क्षमता मोजते, सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानामध्ये महत्त्वपूर्ण आहे.
चिन्ह: [Permitivity-silicon]
मूल्य: 11.7
sqrt
स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.
मांडणी: sqrt(Number)
abs
संख्येचे निरपेक्ष मूल्य म्हणजे संख्या रेषेवरील शून्यापासूनचे अंतर. हे नेहमी सकारात्मक मूल्य असते, कारण ते एका संख्येची दिशा विचारात न घेता त्याचे परिमाण दर्शवते.
मांडणी: abs(Number)

जमा

Creator Image
यांनी तयार केले प्रियांका पटेल LinkedIn Logo
लालभाई दलपतभाई कॉलेज ऑफ इंजिनीअरिंग (LDCE), अहमदाबाद
प्रियांका पटेल ने हे सूत्र आणि 25+ आणखी सूत्रे तयार केली आहेत!
Verifier Image
यांनी सत्यापित केले संतोष यादव LinkedIn Logo
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
संतोष यादव ने हे सूत्र आणि आणखी 50+ सूत्रे सत्यापित केली आहेत!

VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन वर्गातील इतर सूत्रे

​जा शरीर प्रभाव गुणांक
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​जा चॅनेल शुल्क
Qch=Cg⋅(Vgc-Vt)

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI चे मूल्यमापन कसे करावे?

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI मूल्यांकनकर्ता अरुंद चॅनेल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, अरुंद चॅनेल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI सूत्र MOSFET मध्ये अरुंद-चॅनेल प्रभावांमुळे थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये अतिरिक्त योगदान म्हणून परिभाषित केले आहे चे मूल्यमापन करण्यासाठी Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((प्रायोगिक मापदंड*सब्सट्रेटमध्ये उभ्या प्रमाणात मोठ्या प्रमाणात कमी होणे)/(चॅनेल रुंदी*प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स))*(sqrt(2*[Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*पृष्ठभाग संभाव्य))) वापरतो. अरुंद चॅनेल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हे ΔVT0(nc) चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI साठी वापरण्यासाठी, प्रायोगिक मापदंड (k), सब्सट्रेटमध्ये उभ्या प्रमाणात मोठ्या प्रमाणात कमी होणे (xdm), चॅनेल रुंदी (Wc), प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स (Coxide), स्वीकारणारा एकाग्रता (NA) & पृष्ठभाग संभाव्य (Φs) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI

अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI शोधण्याचे सूत्र काय आहे?
अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI चे सूत्र Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((प्रायोगिक मापदंड*सब्सट्रेटमध्ये उभ्या प्रमाणात मोठ्या प्रमाणात कमी होणे)/(चॅनेल रुंदी*प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स))*(sqrt(2*[Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*पृष्ठभाग संभाव्य))) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 2.382463 = ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86))).
अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI ची गणना कशी करायची?
प्रायोगिक मापदंड (k), सब्सट्रेटमध्ये उभ्या प्रमाणात मोठ्या प्रमाणात कमी होणे (xdm), चॅनेल रुंदी (Wc), प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स (Coxide), स्वीकारणारा एकाग्रता (NA) & पृष्ठभाग संभाव्य (Φs) सह आम्ही सूत्र - Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((प्रायोगिक मापदंड*सब्सट्रेटमध्ये उभ्या प्रमाणात मोठ्या प्रमाणात कमी होणे)/(चॅनेल रुंदी*प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स))*(sqrt(2*[Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*पृष्ठभाग संभाव्य))) वापरून अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI शोधू शकतो. हे सूत्र इलेक्ट्रॉनचा चार्ज, व्हॅक्यूमची परवानगी, सिलिकॉनची परवानगी स्थिर(चे) आणि , स्क्वेअर रूट (sqrt), निरपेक्ष (abs) फंक्शन(s) देखील वापरते.
अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI नकारात्मक असू शकते का?
नाही, अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI, विद्युत क्षमता मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.
अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?
अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI हे सहसा विद्युत क्षमता साठी व्होल्ट[V] वापरून मोजले जाते. मिलिव्होल्ट[V], मायक्रोव्होल्ट[V], नॅनोव्होल्ट[V] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात अरुंद चॅनल अतिरिक्त थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VLSI मोजता येतात.
© 2024-2025. Developed & Maintained by softUsvista Inc.
Copied!