Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник» Формула

ИдтиПроводимость в линейном сопротивлении MOSFET Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Проводимость канала обычно определяется как отношение тока, проходящего через канал, к напряжению на нем. Проверьте FAQs

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

G - Проводимость канала?μ_s - Мобильность электронов на поверхности канала?C_ox - Оксидная емкость?W_c - ширина канала?L - Длина канала?V_gs - Напряжение затвор-исток?V_th - Пороговое напряжение?

Пример Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник» выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник» выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник» выглядит как.

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

6.0724mS = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

Кончик: Используйте значок карандаша () выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Аналоговая электроника » Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник» Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»?

Первый шаг Рассмотрим формулу

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

G = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

G = 38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot (4V - 2.3V)

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

G = 38 \cdot 0.0009 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot (4 - 2.3)

Следующий шаг Оценивать

∴

G = 0.0060724S

Последний шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

G = 6.0724mS

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник» Формула Элементы

Переменные

Проводимость канала

Проводимость канала обычно определяется как отношение тока, проходящего через канал, к напряжению на нем.

Символ: G

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Мобильность электронов на поверхности канала

Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или путешествовать через поверхность полупроводникового материала, такого как кремниевый канал в транзисторе.

Символ: μ_s

Измерение: МобильностьЕдиница: m²/V*s