Résistance linéaire
La résistance linéaire agit comme une résistance variable dans la région linéaire et comme une source de courant dans la région de saturation.
Symbole: rDS
La mesure: Résistance électriqueUnité: kΩ
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Longueur du canal
La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.
Symbole: L
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Mobilité des électrons à la surface du canal
La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à conduire dans la couche de surface d'un matériau lorsqu'ils sont soumis à un champ électrique.
Symbole: μn
La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Capacité d'oxyde
La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.
Symbole: Cox
La mesure: CapacitanceUnité: μF
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Largeur du canal
La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.
Symbole: Wc
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Tension de source de grille
La tension de source de grille est la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor.
Symbole: Vgs
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Tension de seuil
La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Symbole: VT
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.