Resistencia lineal
La resistencia lineal actúa como resistencia variable en la región lineal y como fuente de corriente en la región de saturación.
Símbolo: rDS
Medición: Resistencia electricaUnidad: kΩ
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Longitud del Canal
La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.
Símbolo: L
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Movilidad de los electrones en la superficie del canal
La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o conducir dentro de la capa superficial de un material cuando se someten a un campo eléctrico.
Símbolo: μn
Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Capacitancia de óxido
La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Símbolo: Cox
Medición: CapacidadUnidad: μF
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Ancho de canal
El ancho de canal se refiere a la cantidad de ancho de banda disponible para transmitir datos dentro de un canal de comunicación.
Símbolo: Wc
Medición: LongitudUnidad: μm
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Voltaje de fuente de puerta
El voltaje de fuente de puerta es el voltaje que cae a través del terminal de fuente de puerta del transistor.
Símbolo: Vgs
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Voltaje de umbral
El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Símbolo: VT
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.