FormulaDen.com

Física Química Mates Ingeniería Química Civil Eléctrico Electrónica Electrónica e instrumentación Ciencia de los Materiales Mecánico Ingeniería de Producción Financiero Salud

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta Fórmula

IrFuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS Fórmula

IrFuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS Fórmula

Fx Copiar

LaTeX Copiar

La corriente de drenaje en NMOS es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET). Marque FAQs

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

I_d - Drenar corriente en NMOS?k'_n - Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS?W_c - Ancho de canal?L - Longitud del Canal?V_gs - Voltaje de fuente de puerta?V_T - Voltaje de umbral?V_ds - Voltaje de la fuente de drenaje?

Ejemplo de Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta con Valores.

Así es como se ve la ecuación Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta con unidades.

Así es como se ve la ecuación Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta.

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {8.43}^{2})

239.693mA = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {8.43V}^{2})

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {8.43}^{2})

Consejo: Utilice el icono de lápiz () de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

Calcular

Recalcular

Solución

Copiar

Reiniciar

Usted está aquí -

Hogar » Ingenieria » Electrónica » Electrónica analógica » Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta?

Primer paso Considere la fórmula

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I d = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {8.43V}^{2})

Próximo paso Convertir unidades

∴

I d = 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {8.43V}^{2})

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I d = 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {8.43}^{2})

Próximo paso Evaluar

∴

I d = 0.239693A

Último paso Convertir a unidad de salida

∴

I d = 239.693mA

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta Fórmula Elementos

variables

Drenar corriente en NMOS

Símbolo: I_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS

El parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.

Símbolo: k'_n

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Ancho de canal

El ancho de canal se refiere a la cantidad de ancho de banda disponible para transmitir datos dentro de un canal de comunicación.

Símbolo: W_c

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Longitud del Canal

La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.

Símbolo: L

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Voltaje de fuente de puerta

El voltaje de fuente de puerta es el voltaje que cae a través del terminal de fuente de puerta del transistor.

Símbolo: V_gs

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Voltaje de umbral

El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

Símbolo: V_T

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Voltaje de la fuente de drenaje

Drain Source Voltage es un término eléctrico utilizado en electrónica y específicamente en transistores de efecto de campo. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales de drenaje y fuente del FET.

Símbolo: V_ds

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta fórmula y 600+ fórmulas más!

Verificado por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta fórmula y 1900+ fórmulas más!

Otras fórmulas para encontrar Drenar corriente en NMOS

Ir Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Ir Fuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal N

Ir Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

Ir NMOS como resistencia lineal

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

¿Cómo evaluar Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta?

El evaluador de Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta usa Drain Current in NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje^2) para evaluar Drenar corriente en NMOS, La corriente que ingresa al terminal de drenaje de NMOS dado que el voltaje de la fuente de la puerta es la corriente de drenaje por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con Vgs. El recíproco de la pendiente del logaritmo (Ids) vs. Drenar corriente en NMOS se indica mediante el símbolo I_d.

¿Cómo evaluar Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta, ingrese Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (k'_n), Ancho de canal (W_c), Longitud del Canal (L), Voltaje de fuente de puerta (V_gs), Voltaje de umbral (V_T) & Voltaje de la fuente de drenaje (V_ds) y presione el botón calcular.

FAQs en Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

¿Cuál es la fórmula para encontrar Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta?

La fórmula de Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta se expresa como Drain Current in NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje^2). Aquí hay un ejemplo: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*8.43^2).

¿Cómo calcular Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta?

Con Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (k'_n), Ancho de canal (W_c), Longitud del Canal (L), Voltaje de fuente de puerta (V_gs), Voltaje de umbral (V_T) & Voltaje de la fuente de drenaje (V_ds) podemos encontrar Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta usando la fórmula - Drain Current in NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje^2).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Drenar corriente en NMOS?

Estas son las diferentes formas de calcular Drenar corriente en NMOS-

Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Drain Source Voltage)^2

¿Puede el Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta ser negativo?

No, el Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta?

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta.

English French German Russian Italian Portuguese Polish Dutch

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valor
: Unidad

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta Fórmula

​IrFuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS Fórmula

​IrFuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS Fórmula

Ejemplo de Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta Solución

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta Fórmula Elementos

Créditos

Otras fórmulas para encontrar Drenar corriente en NMOS

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal N

¿Cómo evaluar Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta?

FAQs en Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

Variable Name

IrFuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS Fórmula

IrFuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS Fórmula