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La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET). Controlla FAQs
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅Vds2)
Id - Assorbimento di corrente in NMOS?k'n - Parametro di transconduttanza di processo in NMOS?Wc - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?Vgs - Tensione sorgente gate?VT - Soglia di voltaggio?Vds - Scaricare la tensione della sorgente?

Esempio di Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate con Valori.

Ecco come appare l'equazione Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate con unità.

Ecco come appare l'equazione Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate.

239.693Edit=2Edit⋅10Edit3Edit⋅((10.3Edit-1.82Edit)⋅8.43Edit-12⋅8.43Edit2)
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Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate?

Primo passo Considera la formula
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅Vds2)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ Id=2mS⋅10μm3μm⋅((10.3V-1.82V)⋅8.43V-12⋅8.43V2)
Passo successivo Converti unità
∴ Id=0.002S⋅1E-5m3E-6m⋅((10.3V-1.82V)⋅8.43V-12⋅8.43V2)
Passo successivo Preparati a valutare
∴ Id=0.002⋅1E-53E-6⋅((10.3-1.82)⋅8.43-12⋅8.432)
Passo successivo Valutare
∴Id=0.239693A
Ultimo passo Converti nell'unità di output
∴Id=239.693mA

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate Formula Elementi

Variabili
Assorbimento di corrente in NMOS
La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Simbolo: Id
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS
Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Simbolo: k'n
Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Larghezza del canale
La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Simbolo: Wc
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Lunghezza del canale
La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Simbolo: L
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Tensione sorgente gate
Il Gate Source Voltage è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.
Simbolo: Vgs
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Soglia di voltaggio
La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Simbolo: VT
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Scaricare la tensione della sorgente
Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.
Simbolo: Vds
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Crediti

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa formula e altre 600+ formule!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa formula e altre 1900+ formule!

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente in NMOS

​va Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅(Vds)2)
​va Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vgs-VT)2

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale N

​va Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS
vd=μn⋅EL
​va NMOS come resistenza lineare
rDS=Lμn⋅Cox⋅Wc⋅(Vgs-VT)

Come valutare Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate?

Il valutatore Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate utilizza Drain Current in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2) per valutare Assorbimento di corrente in NMOS, La corrente che entra nel terminale di drain di NMOS data la tensione della sorgente di gate è la corrente di drain al di sotto della tensione di soglia definita come corrente di sottosoglia e varia in modo esponenziale con Vgs. Il reciproco della pendenza del log(Ids) vs. Assorbimento di corrente in NMOS è indicato dal simbolo Id.

Come valutare Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate, inserisci Parametro di transconduttanza di processo in NMOS (k'n), Larghezza del canale (Wc), Lunghezza del canale (L), Tensione sorgente gate (Vgs), Soglia di voltaggio (VT) & Scaricare la tensione della sorgente (Vds) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

Qual è la formula per trovare Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate?
La formula di Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate è espressa come Drain Current in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2). Ecco un esempio: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*8.43^2).
Come calcolare Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate?
Con Parametro di transconduttanza di processo in NMOS (k'n), Larghezza del canale (Wc), Lunghezza del canale (L), Tensione sorgente gate (Vgs), Soglia di voltaggio (VT) & Scaricare la tensione della sorgente (Vds) possiamo trovare Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate utilizzando la formula - Drain Current in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2).
Quali sono gli altri modi per calcolare Assorbimento di corrente in NMOS?
Ecco i diversi modi per calcolare Assorbimento di corrente in NMOS-
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)
  • Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2
  • Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Drain Source Voltage)^2
Il Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate può essere negativo?
NO, Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate?
Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate.
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