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Formula NMOS come resistenza lineare

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La resistenza lineare agisce come resistenza variabile nella regione lineare e come sorgente di corrente nella regione di saturazione. Controlla FAQs
rDS=Lμn⋅Cox⋅Wc⋅(Vgs-VT)
rDS - Resistenza lineare?L - Lunghezza del canale?μn - Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale?Cox - Capacità di ossido?Wc - Larghezza del canale?Vgs - Tensione sorgente gate?VT - Soglia di voltaggio?

Esempio di NMOS come resistenza lineare

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione NMOS come resistenza lineare con Valori.

Ecco come appare l'equazione NMOS come resistenza lineare con unità.

Ecco come appare l'equazione NMOS come resistenza lineare.

7.9607Edit=3Edit2.2Edit⋅2.02Edit⋅10Edit⋅(10.3Edit-1.82Edit)
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Casa » Ingegneria » Elettronica » Elettronica analogica » NMOS come resistenza lineare

NMOS come resistenza lineare Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare NMOS come resistenza lineare?

Primo passo Considera la formula
rDS=Lμn⋅Cox⋅Wc⋅(Vgs-VT)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ rDS=3μm2.2m²/V*s⋅2.02μF⋅10μm⋅(10.3V-1.82V)
Passo successivo Converti unità
∴ rDS=3E-6m2.2m²/V*s⋅2E-6F⋅1E-5m⋅(10.3V-1.82V)
Passo successivo Preparati a valutare
∴ rDS=3E-62.2⋅2E-6⋅1E-5⋅(10.3-1.82)
Passo successivo Valutare
∴rDS=7960.70173055041Ω
Passo successivo Converti nell'unità di output
∴rDS=7.96070173055041kΩ
Ultimo passo Risposta arrotondata
∴rDS=7.9607kΩ

NMOS come resistenza lineare Formula Elementi

Variabili
Resistenza lineare
La resistenza lineare agisce come resistenza variabile nella regione lineare e come sorgente di corrente nella regione di saturazione.
Simbolo: rDS
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Lunghezza del canale
La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Simbolo: L
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale
La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o condurre all'interno dello strato superficiale di un materiale quando sono sottoposti a un campo elettrico.
Simbolo: μn
Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Capacità di ossido
La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Simbolo: Cox
Misurazione: CapacitàUnità: μF
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Larghezza del canale
La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Simbolo: Wc
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Tensione sorgente gate
Il Gate Source Voltage è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.
Simbolo: Vgs
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Soglia di voltaggio
La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Simbolo: VT
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Crediti

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa formula e altre 600+ formule!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa formula e altre 1900+ formule!

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Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅Vds2)

Come valutare NMOS come resistenza lineare?

Il valutatore NMOS come resistenza lineare utilizza Linear Resistance = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)) per valutare Resistenza lineare, L'NMOS come resistenza lineare agisce come resistore variabile nella regione lineare e come sorgente di corrente nella regione di saturazione. A differenza di un BJT, per utilizzare un MOSFET come interruttore, è necessario operare all'interno della regione lineare. Resistenza lineare è indicato dal simbolo rDS.

Come valutare NMOS come resistenza lineare utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per NMOS come resistenza lineare, inserisci Lunghezza del canale (L), Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale (μn), Capacità di ossido (Cox), Larghezza del canale (Wc), Tensione sorgente gate (Vgs) & Soglia di voltaggio (VT) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU NMOS come resistenza lineare

Qual è la formula per trovare NMOS come resistenza lineare?
La formula di NMOS come resistenza lineare è espressa come Linear Resistance = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)). Ecco un esempio: 0.007961 = 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82)).
Come calcolare NMOS come resistenza lineare?
Con Lunghezza del canale (L), Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale (μn), Capacità di ossido (Cox), Larghezza del canale (Wc), Tensione sorgente gate (Vgs) & Soglia di voltaggio (VT) possiamo trovare NMOS come resistenza lineare utilizzando la formula - Linear Resistance = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)).
Il NMOS come resistenza lineare può essere negativo?
SÌ, NMOS come resistenza lineare, misurato in Resistenza elettrica Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare NMOS come resistenza lineare?
NMOS come resistenza lineare viene solitamente misurato utilizzando Kilohm[kΩ] per Resistenza elettrica. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Microhm[kΩ] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare NMOS come resistenza lineare.
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