FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

IśćPrąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS Formuła

IśćPrąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS Formuła

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET). Sprawdź FAQs

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

I_d - Prąd spustowy w NMOS?k'_n - Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS?W_c - Szerokość kanału?L - Długość kanału?V_gs - Napięcie źródła bramki?V_T - Próg napięcia?V_ds - Napięcie źródła drenażu?

Przykład Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki wygląda jak.

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {8.43}^{2})

239.693mA = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {8.43V}^{2})

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {8.43}^{2})

Wskazówka: Użyj ikony ołówka () powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Elektronika analogowa » Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki?

Pierwszy krok Rozważ formułę

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

I d = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {8.43V}^{2})

Następny krok Konwersja jednostek

∴

I d = 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {8.43V}^{2})

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

I d = 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {8.43}^{2})

Następny krok Oceniać

∴

I d = 0.239693A

Ostatni krok Konwertuj na jednostkę wyjściową

∴

I d = 239.693mA

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki Formuła Elementy

Zmienne

Prąd spustowy w NMOS

Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).

Symbol: I_d

Pomiar: Prąd elektrycznyJednostka: mA

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS

Parametr transkonduktancji procesu w NMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.

Symbol: k'_n

Pomiar: Przewodnictwo elektryczneJednostka: mS

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Szerokość kanału

Szerokość kanału odnosi się do wielkości pasma dostępnego do przesyłania danych w kanale komunikacyjnym.

Symbol: W_c

Pomiar: DługośćJednostka: μm

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Długość kanału

Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.

Symbol: L

Pomiar: DługośćJednostka: μm

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Napięcie źródła bramki

Napięcie źródła bramki to napięcie, które spada na końcówkę bramki-źródło tranzystora.

Symbol: V_gs

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Próg napięcia

Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

Symbol: V_T

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Napięcie źródła drenażu

Napięcie źródła drenu to termin elektryczny używany w elektronice, a zwłaszcza w tranzystorach polowych. Odnosi się do różnicy napięcia między zaciskami drenu i źródła FET.

Symbol: V_ds

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył tę formułę i 600+ innych formuł!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował tę formułę i 1900+ innych formuł!

Inne formuły do znalezienia Prąd spustowy w NMOS

Iść Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Iść Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

Zobacz więcej

Inne formuły w kategorii Ulepszenie kanału N

Iść Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

v d = μ n \cdot E L

Iść NMOS jako rezystancja liniowa

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Zobacz więcej

Jak ocenić Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki?

Ewaluator Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki używa Drain Current in NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2) do oceny Prąd spustowy w NMOS, Prąd wpływający do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki to prąd drenu poniżej napięcia progowego jest zdefiniowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z Vgs. Odwrotność nachylenia logarytmu (Ids) vs. Prąd spustowy w NMOS jest oznaczona symbolem I_d.

Jak ocenić Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki, wpisz Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS (k'_n), Szerokość kanału (W_c), Długość kanału (L), Napięcie źródła bramki (V_gs), Próg napięcia (V_T) & Napięcie źródła drenażu (V_ds) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Jaki jest wzór na znalezienie Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki?

Formuła Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki jest wyrażona jako Drain Current in NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2). Oto przykład: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*8.43^2).

Jak obliczyć Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki?

Dzięki Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS (k'_n), Szerokość kanału (W_c), Długość kanału (L), Napięcie źródła bramki (V_gs), Próg napięcia (V_T) & Napięcie źródła drenażu (V_ds) możemy znaleźć Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki za pomocą formuły - Drain Current in NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2).

Jakie są inne sposoby obliczenia Prąd spustowy w NMOS?

Oto różne sposoby obliczania Prąd spustowy w NMOS-

Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Drain Source Voltage)^2

Czy Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki może być ujemna?

NIE, Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki zmierzona w Prąd elektryczny Nie mogę będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki?

Wartość Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Miliamper[mA] dla wartości Prąd elektryczny. Amper[mA], Mikroamper[mA], Centiamper[mA] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Dutch

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

​IśćPrąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS Formuła

​IśćPrąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS Formuła

Przykład Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki Rozwiązanie

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki Formuła Elementy

Kredyty

Inne formuły do znalezienia Prąd spustowy w NMOS

Inne formuły w kategorii Ulepszenie kanału N

Jak ocenić Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki?

FAQs NA Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Variable Name

IśćPrąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS Formuła

IśćPrąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS Formuła