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Formule Atomes d'impuretés par unité de surface

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L'impureté totale définit les impuretés qui sont mélangées à un atome par unité de surface dans une base ou la quantité d'impureté ajoutée à un semi-conducteur intrinsèque fait varier son niveau de conductivité. Vérifiez FAQs

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Q_b - Impureté totale?D_n - Diffusion efficace?A - Zone de jonction de la base de l'émetteur?q - Charge?n_i - Concentration intrinsèque?I_c - Courant du collecteur?V_be - Émetteur de base de tension?V_t - Tension thermique?

Exemple Atomes d'impuretés par unité de surface

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Atomes d'impuretés par unité de surface avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Atomes d'impuretés par unité de surface avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Atomes d'impuretés par unité de surface.

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

3.6E+9cm² = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon () ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Maison » Ingénierie » Électronique » Circuits intégrés (CI) » Atomes d'impuretés par unité de surface

Atomes d'impuretés par unité de surface Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Atomes d'impuretés par unité de surface ?

Premier pas Considérez la formule

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

Q b = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

L'étape suivante Convertir des unités

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002m² \cdot (\frac{0.005C \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002 \cdot (\frac{0.005 \cdot {1.3E+6}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

L'étape suivante Évaluer

∴

Q b = 363831.258671893m²

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

Q b = 3638312586.71893cm²

Dernière étape Réponse arrondie

∴

Q b = 3.6E+9cm²

Atomes d'impuretés par unité de surface Formule Éléments

Variables

Les fonctions

Impureté totale

L'impureté totale définit les impuretés qui sont mélangées à un atome par unité de surface dans une base ou la quantité d'impureté ajoutée à un semi-conducteur intrinsèque fait varier son niveau de conductivité.

Symbole: Q_b

La mesure: ZoneUnité: cm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Diffusion efficace

La diffusion effective est un paramètre lié au processus de diffusion des porteurs et est influencée par les propriétés du matériau et la géométrie de la jonction semi-conductrice.

Symbole: D_n

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Zone de jonction de la base de l'émetteur

La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.

Symbole: A

La mesure: ZoneUnité: cm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Charge

Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.

Symbole: q

La mesure: Charge électriqueUnité: mC

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Concentration intrinsèque

La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.

Symbole: n_i

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Courant du collecteur

Le courant du collecteur est le courant qui traverse la borne du collecteur du transistor et est le courant qui est amplifié par le transistor.

Symbole: I_c

La mesure: Courant électriqueUnité: A

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Émetteur de base de tension

La tension de l'émetteur de base est la tension entre la base et l'émetteur lorsqu'elle est polarisée en direct, avec le collecteur déconnecté.

Symbole: V_be

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Tension thermique

La tension thermique correspond aux tensions créées par la jonction de métaux différents lorsqu'une différence de température existe entre ces jonctions.

Symbole: V_t

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

exp

Dans une fonction exponentielle, la valeur de la fonction change d'un facteur constant pour chaque changement d'unité dans la variable indépendante.

Syntaxe: exp(Number)

Crédits

Creator Image

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette formule et 25+ autres formules !

Verifier Image

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a vérifié cette formule et 100+ autres formules !

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n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

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Comment évaluer Atomes d'impuretés par unité de surface ?

L'évaluateur Atomes d'impuretés par unité de surface utilise Total Impurity = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique)) pour évaluer Impureté totale, La formule des atomes d'impuretés par unité de surface est définie comme la quantité d'impureté, ou de dopant, ajoutée à un semi-conducteur intrinsèque (pur) qui fait varier son niveau de conductivité. Impureté totale est désigné par le symbole Q_b.

Comment évaluer Atomes d'impuretés par unité de surface à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Atomes d'impuretés par unité de surface, saisissez Diffusion efficace (D_n), Zone de jonction de la base de l'émetteur (A), Charge (q), Concentration intrinsèque (n_i), Courant du collecteur (I_c), Émetteur de base de tension (V_be) & Tension thermique (V_t) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Atomes d'impuretés par unité de surface

Quelle est la formule pour trouver Atomes d'impuretés par unité de surface ?

La formule de Atomes d'impuretés par unité de surface est exprimée sous la forme Total Impurity = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique)). Voici un exemple : 3.6E+13 = 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1)).

Comment calculer Atomes d'impuretés par unité de surface ?

Avec Diffusion efficace (D_n), Zone de jonction de la base de l'émetteur (A), Charge (q), Concentration intrinsèque (n_i), Courant du collecteur (I_c), Émetteur de base de tension (V_be) & Tension thermique (V_t), nous pouvons trouver Atomes d'impuretés par unité de surface en utilisant la formule - Total Impurity = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Croissance exponentielle (exp).

Le Atomes d'impuretés par unité de surface peut-il être négatif ?

Non, le Atomes d'impuretés par unité de surface, mesuré dans Zone ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Atomes d'impuretés par unité de surface ?

Atomes d'impuretés par unité de surface est généralement mesuré à l'aide de place Centimètre[cm²] pour Zone. Mètre carré[cm²], Kilomètre carré[cm²], Millimètre carré[cm²] sont les quelques autres unités dans lesquelles Atomes d'impuretés par unité de surface peut être mesuré.

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