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Átomos de impureza por unidad de área Fórmula

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La impureza total define las impurezas que se mezclan en un átomo por unidad de área en una base o la cantidad de impureza agregada a un semiconductor intrínseco varía su nivel de conductividad. Marque FAQs

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Q_b - Impureza total?D_n - Difusión efectiva?A - Área de unión de la base del emisor?q - Cargar?n_i - Concentración intrínseca?I_c - Colector actual?V_be - Emisor de base de voltaje?V_t - Voltaje térmico?

Ejemplo de Átomos de impureza por unidad de área

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Átomos de impureza por unidad de área con Valores.

Así es como se ve la ecuación Átomos de impureza por unidad de área con unidades.

Así es como se ve la ecuación Átomos de impureza por unidad de área.

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

3.6E+9cm² = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Consejo: Utilice el icono de lápiz () de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

Solución

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Hogar » Ingenieria » Electrónica » Circuitos integrados (CI) » Átomos de impureza por unidad de área

Átomos de impureza por unidad de área Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Átomos de impureza por unidad de área?

Primer paso Considere la fórmula

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

Q b = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Próximo paso Convertir unidades

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002m² \cdot (\frac{0.005C \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002 \cdot (\frac{0.005 \cdot {1.3E+6}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Próximo paso Evaluar

∴

Q b = 363831.258671893m²

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

Q b = 3638312586.71893cm²

Último paso Respuesta de redondeo

∴

Q b = 3.6E+9cm²

Átomos de impureza por unidad de área Fórmula Elementos

variables

Funciones

Impureza total

La impureza total define las impurezas que se mezclan en un átomo por unidad de área en una base o la cantidad de impureza agregada a un semiconductor intrínseco varía su nivel de conductividad.

Símbolo: Q_b

Medición: ÁreaUnidad: cm²

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Difusión efectiva

La difusión efectiva es un parámetro relacionado con el proceso de difusión de los portadores y está influenciado por las propiedades del material y la geometría de la unión semiconductora.

Símbolo: D_n

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Área de unión de la base del emisor

El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.

Símbolo: A

Medición: ÁreaUnidad: cm²

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Cargar

Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.

Símbolo: q

Medición: Carga eléctricaUnidad: mC

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Concentración intrínseca

La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

Símbolo: n_i

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Colector actual

La corriente del colector es la corriente que fluye a través del terminal del colector del transistor y es la corriente que el transistor amplifica.

Símbolo: I_c

Medición: Corriente eléctricaUnidad: A

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Emisor de base de voltaje

El voltaje del emisor de base es el voltaje entre la base y el emisor cuando está polarizado directamente, con el colector desconectado.

Símbolo: V_be

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Voltaje térmico

El voltaje térmico son los voltajes creados por la unión de metales diferentes cuando existe una diferencia de temperatura entre estas uniones.

Símbolo: V_t

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

exp

En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente.

Sintaxis: exp(Number)

Créditos

Creator Image

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta fórmula y 25+ fórmulas más!

Verifier Image

Verificado por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore

¡Ritwik Tripathi ha verificado esta fórmula y 100+ fórmulas más!

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados bipolares

Ir Impureza con concentración intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Conductividad óhmica de la impureza

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Ver más

¿Cómo evaluar Átomos de impureza por unidad de área?

El evaluador de Átomos de impureza por unidad de área usa Total Impurity = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico)) para evaluar Impureza total, La fórmula de átomos de impureza por unidad de área se define como la cantidad de impureza, o dopante, agregada a un semiconductor intrínseco (puro) que varía su nivel de conductividad. Impureza total se indica mediante el símbolo Q_b.

¿Cómo evaluar Átomos de impureza por unidad de área usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Átomos de impureza por unidad de área, ingrese Difusión efectiva (D_n), Área de unión de la base del emisor (A), Cargar (q), Concentración intrínseca (n_i), Colector actual (I_c), Emisor de base de voltaje (V_be) & Voltaje térmico (V_t) y presione el botón calcular.

FAQs en Átomos de impureza por unidad de área

¿Cuál es la fórmula para encontrar Átomos de impureza por unidad de área?

La fórmula de Átomos de impureza por unidad de área se expresa como Total Impurity = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico)). Aquí hay un ejemplo: 3.6E+13 = 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1)).

¿Cómo calcular Átomos de impureza por unidad de área?

Con Difusión efectiva (D_n), Área de unión de la base del emisor (A), Cargar (q), Concentración intrínseca (n_i), Colector actual (I_c), Emisor de base de voltaje (V_be) & Voltaje térmico (V_t) podemos encontrar Átomos de impureza por unidad de área usando la fórmula - Total Impurity = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico)). Esta fórmula también utiliza funciones Crecimiento exponencial (exp).

¿Puede el Átomos de impureza por unidad de área ser negativo?

No, el Átomos de impureza por unidad de área, medido en Área no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Átomos de impureza por unidad de área?

Átomos de impureza por unidad de área generalmente se mide usando Centímetro cuadrado[cm²] para Área. Metro cuadrado[cm²], Kilometro cuadrado[cm²], Milímetro cuadrado[cm²] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Átomos de impureza por unidad de área.

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