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Conductividad óhmica de la impureza Fórmula

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IrConductividad de tipo N Fórmula

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IrConductividad del tipo P Fórmula

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La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro. Marque FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

σ - Conductividad óhmica?q - Cargar?μ_n - Movilidad del silicio con dopaje electrónico?n_e - Concentración de electrones?μ_p - Movilidad de silicio con dopaje de orificios?p - Concentración de agujeros?

Ejemplo de Conductividad óhmica de la impureza

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Conductividad óhmica de la impureza con Valores.

Así es como se ve la ecuación Conductividad óhmica de la impureza con unidades.

Así es como se ve la ecuación Conductividad óhmica de la impureza.

0.1044 = 5 \cdot (0.38 \cdot 50.6 + 2.4 \cdot 0.69)

0.1044mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 50.61/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot 0.691/cm³)

0.1044 = 5 \cdot (0.38 \cdot 50.6 + 2.4 \cdot 0.69)

Consejo: Utilice el icono de lápiz () de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

Solución

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Hogar » Ingenieria » Electrónica » Circuitos integrados (CI) » Conductividad óhmica de la impureza

Conductividad óhmica de la impureza Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Conductividad óhmica de la impureza?

Primer paso Considere la fórmula

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 50.61/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot 0.691/cm³)

Próximo paso Convertir unidades

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot 5.1E+71/m³ + 0.0002m²/V*s \cdot 6900001/m³)

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot 5.1E+7 + 0.0002 \cdot 690000)

Próximo paso Evaluar

∴

σ = 10.442S/m

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

σ = 0.10442mho/cm

Último paso Respuesta de redondeo

∴

σ = 0.1044mho/cm

Conductividad óhmica de la impureza Fórmula Elementos

variables

Conductividad óhmica

La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.

Símbolo: σ

Medición: Conductividad eléctricaUnidad: mho/cm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Cargar

Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.

Símbolo: q

Medición: Carga eléctricaUnidad: mC

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Movilidad del silicio con dopaje electrónico

La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.

Símbolo: μ_n

Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Concentración de electrones

La concentración de electrones está influenciada por varios factores, como la temperatura, las impurezas o dopantes agregados al material semiconductor y los campos eléctricos o magnéticos externos.

Símbolo: n_e

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Movilidad de silicio con dopaje de orificios

La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.

Símbolo: μ_p

Medición: MovilidadUnidad: cm²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Concentración de agujeros

La concentración de huecos implica una mayor cantidad de portadores de carga disponibles en el material, lo que afecta su conductividad y varios dispositivos semiconductores.

Símbolo: p

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Créditos

Creator Image

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta fórmula y 25+ fórmulas más!

Verifier Image

Verificado por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta fórmula y 500+ fórmulas más!

Otras fórmulas para encontrar Conductividad óhmica

Ir Conductividad de tipo N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Ir Conductividad del tipo P

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados bipolares

Ir Impureza con concentración intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Voltaje de ruptura del emisor colector

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Ir Resistencia de la capa difusa

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

Ir Resistencia laminar de la capa

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

Ver más

¿Cómo evaluar Conductividad óhmica de la impureza?

El evaluador de Conductividad óhmica de la impureza usa Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros) para evaluar Conductividad óhmica, La conductividad óhmica de la impureza se refiere específicamente a una relación lineal entre la corriente que pasa a través de un material y el voltaje aplicado. En el contexto de los átomos de impurezas en un semiconductor, el comportamiento de la conductividad está determinado principalmente por la concentración de dopantes, los portadores de carga introducidos y su movilidad dentro de la red cristalina. Conductividad óhmica se indica mediante el símbolo σ.

¿Cómo evaluar Conductividad óhmica de la impureza usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Conductividad óhmica de la impureza, ingrese Cargar (q), Movilidad del silicio con dopaje electrónico (μ_n), Concentración de electrones (n_e), Movilidad de silicio con dopaje de orificios (μ_p) & Concentración de agujeros (p) y presione el botón calcular.

FAQs en Conductividad óhmica de la impureza

¿Cuál es la fórmula para encontrar Conductividad óhmica de la impureza?

La fórmula de Conductividad óhmica de la impureza se expresa como Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros). Aquí hay un ejemplo: 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000).

¿Cómo calcular Conductividad óhmica de la impureza?

Con Cargar (q), Movilidad del silicio con dopaje electrónico (μ_n), Concentración de electrones (n_e), Movilidad de silicio con dopaje de orificios (μ_p) & Concentración de agujeros (p) podemos encontrar Conductividad óhmica de la impureza usando la fórmula - Ohmic Conductivity = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Conductividad óhmica?

Estas son las diferentes formas de calcular Conductividad óhmica-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of N-Type+Hole Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of N-Type))
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)

¿Puede el Conductividad óhmica de la impureza ser negativo?

No, el Conductividad óhmica de la impureza, medido en Conductividad eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Conductividad óhmica de la impureza?

Conductividad óhmica de la impureza generalmente se mide usando Mho/Centímetro[mho/cm] para Conductividad eléctrica. Siemens/Metro[mho/cm], Mho/Metro[mho/cm], Abmho/Metro[mho/cm] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Conductividad óhmica de la impureza.

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