FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Totale onzuiverheid definieert de onzuiverheden die met een atoom per oppervlakte-eenheid in een basis worden gemengd, of de hoeveelheid onzuiverheid die aan een intrinsieke halfgeleider wordt toegevoegd, varieert het niveau van geleidbaarheid. Controleer FAQs

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Q_b - Totale onzuiverheid?D_n - Effectieve verspreiding?A - Zenderbasisverbindingsgebied?q - Aanval?n_i - Intrinsieke concentratie?I_c - Collectorstroom?V_be - Spanningsbasis-emitter?V_t - Thermische spanning?

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid-vergelijking eruit ziet als.

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

3.6E+9cm² = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Tip: Gebruik het potloodpictogram () hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Oplossing

Kopiëren

Deel

Je bent hier -

Thuis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid?

Eerste stap Overweeg de formule

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

Q b = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Volgende stap Eenheden converteren

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002m² \cdot (\frac{0.005C \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002 \cdot (\frac{0.005 \cdot {1.3E+6}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Volgende stap Evalueer

∴

Q b = 363831.258671893m²

Volgende stap Converteren naar de eenheid van uitvoer

∴

Q b = 3638312586.71893cm²

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

Q b = 3.6E+9cm²

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid Formule Elementen

Variabelen

Functies

Totale onzuiverheid

Totale onzuiverheid definieert de onzuiverheden die met een atoom per oppervlakte-eenheid in een basis worden gemengd, of de hoeveelheid onzuiverheid die aan een intrinsieke halfgeleider wordt toegevoegd, varieert het niveau van geleidbaarheid.

Symbool: Q_b

Meting: GebiedEenheid: cm²

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Effectieve verspreiding

De effectieve diffusie is een parameter die verband houdt met het diffusieproces van dragers en wordt beïnvloed door materiaaleigenschappen en de geometrie van de halfgeleiderovergang.

Symbool: D_n

Meting: NAEenheid: Unitless

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Zenderbasisverbindingsgebied

Emitter Base Junction Area is een PN-overgang gevormd tussen het zwaar gedoteerde P-type materiaal (emitter) en het licht gedoteerde N-type materiaal (basis) van de transistor.

Symbool: A

Meting: GebiedEenheid: cm²

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Aanval

Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.

Symbool: q

Meting: Elektrische ladingEenheid: mC

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Intrinsieke concentratie

Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.

Symbool: n_i

Meting: Drager ConcentratieEenheid: 1/cm³

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Collectorstroom

Collectorstroom is de stroom die door de collectoraansluiting van de transistor vloeit en is de stroom die door de transistor wordt versterkt.

Symbool: I_c

Meting: Elektrische stroomEenheid: A

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Spanningsbasis-emitter

Spanning Basisemitter is de spanning tussen de basis en de emitter wanneer deze in voorwaartse richting is voorgespannen, waarbij de collector is losgekoppeld.

Symbool: V_be

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Thermische spanning

Thermische spanning is de spanning die wordt gecreëerd door de verbinding van ongelijksoortige metalen wanneer er een temperatuurverschil bestaat tussen deze verbindingen.

Symbool: V_t

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

exp

In een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele.

Syntaxis: exp(Number)

Credits

Creator Image

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze formule en 25+ andere formules gemaakt!

Verifier Image

Geverifieerd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze formule en 100+ andere formules geverifieerd!

Andere formules in de categorie Bipolaire IC-fabricage

Gan Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Gan Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Bekijk meer

Hoe Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid evalueren?

De beoordelaar van Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid gebruikt Total Impurity = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning)) om de Totale onzuiverheid, De formule voor onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid onzuiverheid, of doteringsmiddel, toegevoegd aan een intrinsieke (zuivere) halfgeleider, waardoor het niveau van geleidbaarheid varieert, te evalueren. Totale onzuiverheid wordt aangegeven met het symbool Q_b.

Hoe kan ik Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid te gebruiken, voert u Effectieve verspreiding (D_n), Zenderbasisverbindingsgebied (A), Aanval (q), Intrinsieke concentratie (n_i), Collectorstroom (I_c), Spanningsbasis-emitter (V_be) & Thermische spanning (V_t) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Wat is de formule om Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid te vinden?

De formule van Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid wordt uitgedrukt als Total Impurity = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning)). Hier is een voorbeeld: 3.6E+13 = 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1)).

Hoe bereken je Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid?

Met Effectieve verspreiding (D_n), Zenderbasisverbindingsgebied (A), Aanval (q), Intrinsieke concentratie (n_i), Collectorstroom (I_c), Spanningsbasis-emitter (V_be) & Thermische spanning (V_t) kunnen we Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid vinden met behulp van de formule - Total Impurity = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning)). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Exponentiële groei (exp).

Kan de Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid negatief zijn?

Nee, de Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid, gemeten in Gebied kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid te meten?

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid wordt meestal gemeten met de Plein Centimeter[cm²] voor Gebied. Plein Meter[cm²], Plein Kilometre[cm²], Plein Millimeter[cm²] zijn de weinige andere eenheden waarin Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid kan worden gemeten.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Polish

© 2024-2026. Developed & Maintained by softUsvista Inc.

Let Others Know

✖

WhatsApp

Copied!