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Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor Formel

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Der Drain-Strom ist der Strom, der vom Drain-Anschluss zum Source-Anschluss fließt und durch die am Gate angelegte Spannung gesteuert wird. Überprüfen Sie FAQs

I D = (\frac{W}{L}) \cdot μ n \cdot C ox \cdot \int ((V GS - x - V T), x, 0, V DS)

I_D - Stromverbrauch?W - Kanalbreite?L - Kanallänge?μ_n - Elektronenmobilität?C_ox - Oxidkapazität?V_GS - Gate-Source-Spannung?V_T - Grenzspannung?V_DS - Drain-Quellenspannung?

Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor aus:.

1675.7219 = (\frac{2.678}{3.45}) \cdot 9.92 \cdot 3.9 \cdot \int ((29.65 - x - 5.91), x, 0, 45)

1675.7219A = (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot 9.92m²/V*s \cdot 3.9F \cdot \int ((29.65V - x - 5.91V), x, 0, 45V)

1675.7219 = (\frac{2.678}{3.45}) \cdot 9.92 \cdot 3.9 \cdot \int ((29.65 - x - 5.91), x, 0, 45)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol () oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I D = (\frac{W}{L}) \cdot μ n \cdot C ox \cdot \int ((V GS - x - V T), x, 0, V DS)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I D = (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot 9.92m²/V*s \cdot 3.9F \cdot \int ((29.65V - x - 5.91V), x, 0, 45V)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I D = (\frac{2.678}{3.45}) \cdot 9.92 \cdot 3.9 \cdot \int ((29.65 - x - 5.91), x, 0, 45)

Nächster Schritt Auswerten

∴

I D = 1675.72193947826A

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

I D = 1675.7219A

Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Stromverbrauch

Der Drain-Strom ist der Strom, der vom Drain-Anschluss zum Source-Anschluss fließt und durch die am Gate angelegte Spannung gesteuert wird.

Symbol: I_D

Messung: Elektrischer StromEinheit: A

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Kanalbreite

Die Kanalbreite stellt die Breite des leitenden Kanals innerhalb eines MOSFET dar und wirkt sich direkt auf die Strommenge aus, die er verarbeiten kann.

Symbol: W

Messung: LängeEinheit: m

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Kanallänge

Die Kanallänge in einem MOSFET ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Bereichen. Sie bestimmt, wie leicht der Strom fließt und wirkt sich auf die Transistorleistung aus.

Symbol: L

Messung: LängeEinheit: m

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Elektronenmobilität

Die Elektronenmobilität in MOSFET beschreibt, wie leicht sich Elektronen durch den Kanal bewegen können, was sich direkt auf den Stromfluss bei einer bestimmten Spannung auswirkt.

Symbol: μ_n

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Gate-Source-Spannung

Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MOSFET angelegt wird.

Symbol: V_GS

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Grenzspannung

Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.

Symbol: V_T

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Drain-Quellenspannung

Die Drain-Source-Spannung ist die zwischen Drain- und Source-Anschluss angelegte Spannung.

Symbol: V_DS

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

int

Mit dem bestimmten Integral kann die Nettofläche mit Vorzeichen berechnet werden. Dabei handelt es sich um die Fläche oberhalb der x-Achse abzüglich der Fläche unterhalb der x-Achse.

Syntax: int(expr, arg, from, to)

Credits

Erstellt von Vignesh Naidu

Vellore Institut für Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu hat diese Formel und 10+ weitere Formeln erstellt!

Verifiziert von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diese Formel und 50+ weitere Formeln verifiziert!

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Wie wird Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor ausgewertet?

Der Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor-Evaluator verwendet Drain Current = (Kanalbreite/Kanallänge)*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*int((Gate-Source-Spannung-x-Grenzspannung),x,0,Drain-Quellenspannung), um Stromverbrauch, Die Formel für den durch den MOS-Transistor fließenden Drain-Strom ist definiert als der Strom, der vom Drain-Anschluss zum Source-Anschluss fließt und durch die am Gate angelegte Spannung gesteuert wird auszuwerten. Stromverbrauch wird durch das Symbol I_D gekennzeichnet.

Wie wird Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor zu verwenden, geben Sie Kanalbreite (W), Kanallänge (L), Elektronenmobilität (μ_n), Oxidkapazität (C_ox), Gate-Source-Spannung (V_GS), Grenzspannung (V_T) & Drain-Quellenspannung (V_DS) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor

Wie lautet die Formel zum Finden von Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor?

Die Formel von Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor wird als Drain Current = (Kanalbreite/Kanallänge)*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*int((Gate-Source-Spannung-x-Grenzspannung),x,0,Drain-Quellenspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: -23935.795961 = (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45).

Wie berechnet man Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor?

Mit Kanalbreite (W), Kanallänge (L), Elektronenmobilität (μ_n), Oxidkapazität (C_ox), Gate-Source-Spannung (V_GS), Grenzspannung (V_T) & Drain-Quellenspannung (V_DS) können wir Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor mithilfe der Formel - Drain Current = (Kanalbreite/Kanallänge)*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*int((Gate-Source-Spannung-x-Grenzspannung),x,0,Drain-Quellenspannung) finden. Diese Formel verwendet auch Bestimmtes Integral (int) Funktion(en).

Kann Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor negativ sein?

Ja, der in Elektrischer Strom gemessene Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor verwendet?

Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor wird normalerweise mit Ampere[A] für Elektrischer Strom gemessen. Milliampere[A], Mikroampere[A], Centiampere[A] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor gemessen werden kann.

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