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Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS Fórmula

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La corriente de drenaje es la corriente que fluye desde el terminal de drenaje al terminal de fuente, controlada por el voltaje aplicado a la compuerta. Marque FAQs
ID=(WL)⋅μn⋅Cox⋅∫((VGS-x-VT),x,0,VDS)
ID - Corriente de drenaje?W - Ancho de banda?L - Longitud del canal?μn - Movilidad electrónica?Cox - Capacitancia de óxido?VGS - Voltaje de fuente de puerta?VT - Voltaje umbral?VDS - Voltaje de la fuente de drenaje?

Ejemplo de Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS.

1675.7219Edit=(2.678Edit3.45Edit)⋅9.92Edit⋅3.9Edit⋅∫((29.65Edit-x-5.91Edit),x,0,45Edit)
Solución
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Hogar » Ingenieria » Electrónica » Electrónica analógica » Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS

Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS?

Primer paso Considere la fórmula
ID=(WL)⋅μn⋅Cox⋅∫((VGS-x-VT),x,0,VDS)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
∴ ID=(2.678m3.45m)⋅9.92m²/V*s⋅3.9F⋅∫((29.65V-x-5.91V),x,0,45V)
Próximo paso Prepárese para evaluar
∴ ID=(2.6783.45)⋅9.92⋅3.9⋅∫((29.65-x-5.91),x,0,45)
Próximo paso Evaluar
∴ID=1675.72193947826A
Último paso Respuesta de redondeo
∴ID=1675.7219A

Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS Fórmula Elementos

variables
Funciones
Corriente de drenaje
La corriente de drenaje es la corriente que fluye desde el terminal de drenaje al terminal de fuente, controlada por el voltaje aplicado a la compuerta.
Símbolo: ID
Medición: Corriente eléctricaUnidad: A
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Ancho de banda
El ancho del canal representa el ancho del canal conductor dentro de un MOSFET, lo que afecta directamente la cantidad de corriente que puede manejar.
Símbolo: W
Medición: LongitudUnidad: m
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Longitud del canal
La longitud del canal en un MOSFET es la distancia entre las regiones de fuente y drenaje, lo que determina la facilidad con la que fluye la corriente y afecta el rendimiento del transistor.
Símbolo: L
Medición: LongitudUnidad: m
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Movilidad electrónica
La movilidad electrónica en MOSFET describe la facilidad con la que los electrones pueden moverse a través del canal, impactando directamente el flujo de corriente para un voltaje determinado.
Símbolo: μn
Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Capacitancia de óxido
La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
Símbolo: Cox
Medición: CapacidadUnidad: F
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje de fuente de puerta
El voltaje de fuente de puerta es el voltaje aplicado entre la puerta y los terminales de fuente de un MOSFET.
Símbolo: VGS
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Voltaje umbral
El voltaje umbral es el voltaje mínimo de puerta a fuente requerido en un MOSFET para "encenderlo" y permitir que fluya una corriente significativa.
Símbolo: VT
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Voltaje de la fuente de drenaje
El voltaje de la fuente de drenaje es el voltaje aplicado entre el terminal de fuente y drenaje.
Símbolo: VDS
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
int
La integral definida se puede utilizar para calcular el área neta con signo, que es el área por encima del eje x menos el área por debajo del eje x.
Sintaxis: int(expr, arg, from, to)

Créditos

Creator Image
Creado por Vignesh Naidu
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT), Vellore, Tamil Nadu
¡Vignesh Naidu ha creado esta fórmula y 10+ fórmulas más!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta
¡Dipanjona Mallick ha verificado esta fórmula y 50+ fórmulas más!

Otras fórmulas en la categoría Transistor MOS

​Ir Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
Cjsw=Cj0sw⋅xj
​Ir Capacitancia equivalente de unión de señal grande
Ceq(sw)=P⋅Cjsw⋅Keq(sw)

¿Cómo evaluar Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS?

El evaluador de Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS usa Drain Current = (Ancho de banda/Longitud del canal)*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*int((Voltaje de fuente de puerta-x-Voltaje umbral),x,0,Voltaje de la fuente de drenaje) para evaluar Corriente de drenaje, La fórmula de la corriente de drenaje que fluye a través del transistor MOS se define como la corriente que fluye desde el terminal de drenaje al terminal de fuente, controlada por el voltaje aplicado a la compuerta. Corriente de drenaje se indica mediante el símbolo ID.

¿Cómo evaluar Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS, ingrese Ancho de banda (W), Longitud del canal (L), Movilidad electrónica (μn), Capacitancia de óxido (Cox), Voltaje de fuente de puerta (VGS), Voltaje umbral (VT) & Voltaje de la fuente de drenaje (VDS) y presione el botón calcular.

FAQs en Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS?
La fórmula de Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS se expresa como Drain Current = (Ancho de banda/Longitud del canal)*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*int((Voltaje de fuente de puerta-x-Voltaje umbral),x,0,Voltaje de la fuente de drenaje). Aquí hay un ejemplo: -23935.795961 = (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45).
¿Cómo calcular Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS?
Con Ancho de banda (W), Longitud del canal (L), Movilidad electrónica (μn), Capacitancia de óxido (Cox), Voltaje de fuente de puerta (VGS), Voltaje umbral (VT) & Voltaje de la fuente de drenaje (VDS) podemos encontrar Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS usando la fórmula - Drain Current = (Ancho de banda/Longitud del canal)*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*int((Voltaje de fuente de puerta-x-Voltaje umbral),x,0,Voltaje de la fuente de drenaje). Esta fórmula también utiliza funciones Integral definida (int).
¿Puede el Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS ser negativo?
Sí, el Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS, medido en Corriente eléctrica poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS?
Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS generalmente se mide usando Amperio[A] para Corriente eléctrica. Miliamperio[A], Microamperio[A], centiamperio[A] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS.
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