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Formula Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS

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La corrente di drain è la corrente che scorre dal terminale di drain al terminale di source, controllata dalla tensione applicata al gate. Controlla FAQs
ID=(WL)⋅μn⋅Cox⋅∫((VGS-x-VT),x,0,VDS)
ID - Assorbimento di corrente?W - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?μn - Mobilità elettronica?Cox - Capacità dell'ossido?VGS - Tensione della sorgente di gate?VT - Soglia di voltaggio?VDS - Tensione della sorgente di drenaggio?

Esempio di Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS.

1675.7219Edit=(2.678Edit3.45Edit)⋅9.92Edit⋅3.9Edit⋅∫((29.65Edit-x-5.91Edit),x,0,45Edit)
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Casa » Ingegneria » Elettronica » Elettronica analogica » Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS

Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS?

Primo passo Considera la formula
ID=(WL)⋅μn⋅Cox⋅∫((VGS-x-VT),x,0,VDS)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ ID=(2.678m3.45m)⋅9.92m²/V*s⋅3.9F⋅∫((29.65V-x-5.91V),x,0,45V)
Passo successivo Preparati a valutare
∴ ID=(2.6783.45)⋅9.92⋅3.9⋅∫((29.65-x-5.91),x,0,45)
Passo successivo Valutare
∴ID=1675.72193947826A
Ultimo passo Risposta arrotondata
∴ID=1675.7219A

Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS Formula Elementi

Variabili
Funzioni
Assorbimento di corrente
La corrente di drain è la corrente che scorre dal terminale di drain al terminale di source, controllata dalla tensione applicata al gate.
Simbolo: ID
Misurazione: Corrente elettricaUnità: A
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Larghezza del canale
La larghezza del canale rappresenta la larghezza del canale conduttivo all'interno di un MOSFET, influenzando direttamente la quantità di corrente che può gestire.
Simbolo: W
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Lunghezza del canale
La lunghezza del canale in un MOSFET è la distanza tra le regioni di source e drain, che determina la facilità con cui scorre la corrente e influisce sulle prestazioni del transistor.
Simbolo: L
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Mobilità elettronica
La mobilità elettronica nel MOSFET descrive la facilità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il canale, influenzando direttamente il flusso di corrente per una determinata tensione.
Simbolo: μn
Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Capacità dell'ossido
La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
Simbolo: Cox
Misurazione: CapacitàUnità: F
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Tensione della sorgente di gate
La tensione Gate Source è la tensione applicata tra i terminali gate e source di un MOSFET.
Simbolo: VGS
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Soglia di voltaggio
La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.
Simbolo: VT
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Tensione della sorgente di drenaggio
La tensione di drain source è la tensione applicata tra drain e terminale source.
Simbolo: VDS
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
int
L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, che è l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x.
Sintassi: int(expr, arg, from, to)

Crediti

Creator Image
Creato da Vignesh Naidu
Vellore Istituto di Tecnologia (VIT), Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu ha creato questa formula e altre 10+ formule!
Verifier Image
Verificato da Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa formula e altre 50+ formule!

Altre formule nella categoria Transistor MOS

​va Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
Cjsw=Cj0sw⋅xj
​va Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
Ceq(sw)=P⋅Cjsw⋅Keq(sw)

Come valutare Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS?

Il valutatore Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS utilizza Drain Current = (Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*int((Tensione della sorgente di gate-x-Soglia di voltaggio),x,0,Tensione della sorgente di drenaggio) per valutare Assorbimento di corrente, La formula della corrente di drain che scorre attraverso il transistor MOS è definita come la corrente che scorre dal terminale di drain al terminale di source, controllata dalla tensione applicata al gate. Assorbimento di corrente è indicato dal simbolo ID.

Come valutare Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS, inserisci Larghezza del canale (W), Lunghezza del canale (L), Mobilità elettronica (μn), Capacità dell'ossido (Cox), Tensione della sorgente di gate (VGS), Soglia di voltaggio (VT) & Tensione della sorgente di drenaggio (VDS) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS

Qual è la formula per trovare Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS?
La formula di Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS è espressa come Drain Current = (Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*int((Tensione della sorgente di gate-x-Soglia di voltaggio),x,0,Tensione della sorgente di drenaggio). Ecco un esempio: -23935.795961 = (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45).
Come calcolare Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS?
Con Larghezza del canale (W), Lunghezza del canale (L), Mobilità elettronica (μn), Capacità dell'ossido (Cox), Tensione della sorgente di gate (VGS), Soglia di voltaggio (VT) & Tensione della sorgente di drenaggio (VDS) possiamo trovare Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS utilizzando la formula - Drain Current = (Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*int((Tensione della sorgente di gate-x-Soglia di voltaggio),x,0,Tensione della sorgente di drenaggio). Questa formula utilizza anche le funzioni Integrale definito (int).
Il Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS può essere negativo?
SÌ, Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS, misurato in Corrente elettrica Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS?
Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS viene solitamente misurato utilizzando Ampere[A] per Corrente elettrica. Millampere[A], microampere[A], Centiampere[A] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS.
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