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Fórmula Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS

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Corrente de Dreno é a corrente que flui do terminal de dreno para o terminal de fonte, controlada pela tensão aplicada ao portão. Verifique FAQs

I D = (\frac{W}{L}) \cdot μ n \cdot C ox \cdot \int ((V GS - x - V T), x, 0, V DS)

I_D - Corrente de drenagem?W - Largura de banda?L - Comprimento do canal?μ_n - Mobilidade Eletrônica?C_ox - Capacitância de Óxido?V_GS - Tensão da Fonte da Porta?V_T - Tensão de limiar?V_DS - Tensão da fonte de drenagem?

Exemplo de Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS.

1675.7219 = (\frac{2.678}{3.45}) \cdot 9.92 \cdot 3.9 \cdot \int ((29.65 - x - 5.91), x, 0, 45)

1675.7219A = (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot 9.92m²/V*s \cdot 3.9F \cdot \int ((29.65V - x - 5.91V), x, 0, 45V)

1675.7219 = (\frac{2.678}{3.45}) \cdot 9.92 \cdot 3.9 \cdot \int ((29.65 - x - 5.91), x, 0, 45)

Dica: Use o ícone de lápis () acima para editar valores de entrada e unidades.

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Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

I D = (\frac{W}{L}) \cdot μ n \cdot C ox \cdot \int ((V GS - x - V T), x, 0, V DS)

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I D = (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot 9.92m²/V*s \cdot 3.9F \cdot \int ((29.65V - x - 5.91V), x, 0, 45V)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I D = (\frac{2.678}{3.45}) \cdot 9.92 \cdot 3.9 \cdot \int ((29.65 - x - 5.91), x, 0, 45)

Próxima Etapa Avalie

∴

I D = 1675.72193947826A

Último passo Resposta de arredondamento

∴

I D = 1675.7219A

Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Corrente de drenagem

Corrente de Dreno é a corrente que flui do terminal de dreno para o terminal de fonte, controlada pela tensão aplicada ao portão.

Símbolo: I_D

Medição: Corrente elétricaUnidade: A

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Largura de banda

A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.

Símbolo: W

Medição: ComprimentoUnidade: m

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Comprimento do canal

O comprimento do canal em um MOSFET é a distância entre as regiões de fonte e dreno, determinando a facilidade com que a corrente flui e impactando o desempenho do transistor.

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: m

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Mobilidade Eletrônica

A mobilidade eletrônica no MOSFET descreve a facilidade com que os elétrons podem se mover através do canal, impactando diretamente o fluxo de corrente para uma determinada tensão.

Símbolo: μ_n

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Capacitância de Óxido

Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: F

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Tensão da Fonte da Porta

A tensão da fonte da porta é a tensão aplicada entre os terminais da porta e da fonte de um MOSFET.

Símbolo: V_GS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Tensão de limiar

Tensão limite é a tensão mínima porta-fonte necessária em um MOSFET para ligá-lo e permitir o fluxo de uma corrente significativa.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Tensão da fonte de drenagem

A tensão da fonte de drenagem é a tensão aplicada entre o terminal de drenagem e a fonte.

Símbolo: V_DS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

int

A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida assinada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x.

Sintaxe: int(expr, arg, from, to)

Créditos

Criado por Vignesh Naidu

Instituto Vellore de Tecnologia (VITA), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu criou esta fórmula e mais 10+ fórmulas!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta fórmula e mais 50+ fórmulas!

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Ir Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitância equivalente de junção de sinal grande

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

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Como avaliar Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS?

O avaliador Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS usa Drain Current = (Largura de banda/Comprimento do canal)*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*int((Tensão da Fonte da Porta-x-Tensão de limiar),x,0,Tensão da fonte de drenagem) para avaliar Corrente de drenagem, A fórmula da corrente de dreno que flui através do transistor MOS é definida como a corrente que flui do terminal de dreno para o terminal de fonte, controlada pela tensão aplicada à porta. Corrente de drenagem é denotado pelo símbolo I_D.

Como avaliar Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS, insira Largura de banda (W), Comprimento do canal (L), Mobilidade Eletrônica (μ_n), Capacitância de Óxido (C_ox), Tensão da Fonte da Porta (V_GS), Tensão de limiar (V_T) & Tensão da fonte de drenagem (V_DS) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS

Qual é a fórmula para encontrar Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS?

A fórmula de Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS é expressa como Drain Current = (Largura de banda/Comprimento do canal)*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*int((Tensão da Fonte da Porta-x-Tensão de limiar),x,0,Tensão da fonte de drenagem). Aqui está um exemplo: -23935.795961 = (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45).

Como calcular Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS?

Com Largura de banda (W), Comprimento do canal (L), Mobilidade Eletrônica (μ_n), Capacitância de Óxido (C_ox), Tensão da Fonte da Porta (V_GS), Tensão de limiar (V_T) & Tensão da fonte de drenagem (V_DS) podemos encontrar Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS usando a fórmula - Drain Current = (Largura de banda/Comprimento do canal)*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*int((Tensão da Fonte da Porta-x-Tensão de limiar),x,0,Tensão da fonte de drenagem). Esta fórmula também usa funções Integral Definido (int).

O Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS pode ser negativo?

Sim, o Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS, medido em Corrente elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS?

Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS geralmente é medido usando Ampere[A] para Corrente elétrica. Miliamperes[A], Microampère[A], Centiampere[A] são as poucas outras unidades nas quais Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS pode ser medido.

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