Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung
Bipolare Kaskoden-Spannungsverstärkung bezieht sich auf eine Art Verstärkerkonfiguration, die zwei Transistoren in einer Kaskodenkonfiguration verwendet, um eine höhere Spannungsverstärkung als ein Verstärker mit einem einzelnen Transistor zu erreichen.
Symbol: Afo
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
MOSFET-Primärtranskonduktanz
Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Symbol: gmp
Messung: SteilheitEinheit: mS
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
MOSFET-Sekundärtranskonduktanz
Die sekundäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Symbol: gms
Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Endlicher Ausgangswiderstand
Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
Symbol: Rout
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1
Der endliche Ausgangswiderstand von Transistor 1 ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
Symbol: Rout1
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Kleinsignal-Eingangswiderstand
Der Kleinsignal-Eingangswiderstand 2 zwischen Basis und Emitter modelliert, wie sich die Eingangsimpedanz zwischen den Basis- und Emitteranschlüssen des Transistors ändert, wenn ein kleines Wechselstromsignal angelegt wird.
Symbol: Rsm
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.