Ganho de tensão bipolar do Cascode
Ganho de tensão de cascode bipolar refere-se a um tipo de configuração de amplificador que utiliza dois transistores em uma configuração de cascode para obter um ganho de tensão mais alto do que um amplificador de transistor único.
Símbolo: Afo
Medição: NAUnidade: Unitless
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Transcondutância Primária MOSFET
A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.
Símbolo: gmp
Medição: TranscondutânciaUnidade: mS
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Transcondutância Secundária MOSFET
A transcondutância secundária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.
Símbolo: gms
Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Resistência de saída finita
A resistência de saída finita é uma medida de quanto a impedância de saída do transistor varia com as mudanças na tensão de saída.
Símbolo: Rout
Medição: Resistência ElétricaUnidade: kΩ
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Resistência de saída finita do transistor 1
A resistência de saída finita do transistor 1 é uma medida de quanto a impedância de saída do transistor varia com as mudanças na tensão de saída.
Símbolo: Rout1
Medição: Resistência ElétricaUnidade: kΩ
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Resistência de entrada de sinal pequeno
A resistência de entrada de sinal pequeno 2 entre a base e o emissor modela como a impedância de entrada entre os terminais base e emissor do transistor muda quando um pequeno sinal CA é aplicado.
Símbolo: Rsm
Medição: Resistência ElétricaUnidade: kΩ
Observação: O valor deve ser maior que 0.