Ganancia de voltaje en cascodo bipolar
La ganancia de voltaje en cascodo bipolar se refiere a un tipo de configuración de amplificador que utiliza dos transistores en una configuración en cascodo para lograr una ganancia de voltaje mayor que un amplificador de un solo transistor.
Símbolo: Afo
Medición: NAUnidad: Unitless
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
Transconductancia primaria MOSFET
La transconductancia primaria MOSFET es el cambio en la corriente de drenaje dividido por el pequeño cambio en el voltaje de puerta/fuente con un voltaje de drenaje/fuente constante.
Símbolo: gmp
Medición: TransconductanciaUnidad: mS
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Transconductancia secundaria MOSFET
La transconductancia secundaria MOSFET es el cambio en la corriente de drenaje dividido por el pequeño cambio en el voltaje de puerta/fuente con un voltaje de drenaje/fuente constante.
Símbolo: gms
Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Resistencia de salida finita
La resistencia de salida finita es una medida de cuánto varía la impedancia de salida del transistor con los cambios en el voltaje de salida.
Símbolo: Rout
Medición: Resistencia electricaUnidad: kΩ
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Resistencia de salida finita del transistor 1
La resistencia de salida finita del transistor 1 es una medida de cuánto varía la impedancia de salida del transistor con los cambios en el voltaje de salida.
Símbolo: Rout1
Medición: Resistencia electricaUnidad: kΩ
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Resistencia de entrada de señal pequeña
La resistencia de entrada de señal pequeña 2 entre la base y el emisor modela cómo cambia la impedancia de entrada entre las terminales de la base y el emisor del transistor cuando se aplica una pequeña señal de CA.
Símbolo: Rsm
Medición: Resistencia electricaUnidad: kΩ
Nota: El valor debe ser mayor que 0.