Wzmocnienie napięcia bipolarnego Cascode
Wzmocnienie napięcia bipolarnego kaskodu odnosi się do typu konfiguracji wzmacniacza, w której wykorzystuje się dwa tranzystory w konfiguracji kaskodowej w celu uzyskania wyższego wzmocnienia napięcia niż w przypadku wzmacniacza z pojedynczym tranzystorem.
Symbol: Afo
Pomiar: NAJednostka: Unitless
Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.
Transkonduktancja pierwotna MOSFET
Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.
Symbol: gmp
Pomiar: TranskonduktancjaJednostka: mS
Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.
Transkonduktancja wtórna MOSFET
Transkonduktancja wtórna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.
Symbol: gms
Pomiar: Przewodnictwo elektryczneJednostka: mS
Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.
Skończona rezystancja wyjściowa
Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
Symbol: Rout
Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ
Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.
Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1
Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1 jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
Symbol: Rout1
Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ
Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.
Mały opór wejściowy sygnału
Rezystancja wejściowa małego sygnału 2 pomiędzy modelami bazy i emitera, jak zmienia się impedancja wejściowa pomiędzy zaciskami bazy i emitera tranzystora, gdy przyłożony jest mały sygnał prądu przemiennego.
Symbol: Rsm
Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ
Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.