FormulaDen.com

La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Capacité de jonction PN

Fx Copie

LaTeX Copie

La capacité de jonction fait référence à la capacité associée à la jonction pn formée entre deux régions semi-conductrices dans un dispositif semi-conducteur, tel qu'une diode ou un transistor. Vérifiez FAQs

C j = \frac{A pn}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot ε r \cdot [Permitivity-silicon]}{V 0 - (V)} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D})}

C_j - Capacité de jonction?A_pn - Zone de jonction PN?ε_r - Permittivité relative?V₀ - Tension aux bornes de la jonction PN?V - Tension de polarisation inverse?N_A - Concentration d'accepteur?N_D - Concentration des donneurs?[Charge-e] - Charge d'électron?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?

Exemple Capacité de jonction PN

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de jonction PN avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de jonction PN avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de jonction PN.

1.9E+6 = \frac{4.8}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

1.9E+6fF = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

1.9E+6 = \frac{4.8}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon () ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Calculer

Recalculer

Solution

Copie

Réinitialiser

Tu es là -

Maison » Ingénierie » Électronique » Appareils optoélectroniques » Capacité de jonction PN

Capacité de jonction PN Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Capacité de jonction PN ?

Premier pas Considérez la formule

C j = \frac{A pn}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot ε r \cdot [Permitivity-silicon]}{V 0 - (V)} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D})}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

C j = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot 78F/m \cdot [Permitivity-silicon]}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

C j = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

C j = \frac{4.8E-12m²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

C j = \frac{4.8E-12}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

L'étape suivante Évaluer

∴

C j = 1.9040662888657E-09F

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

C j = 1904066.2888657fF

Dernière étape Réponse arrondie

∴

C j = 1.9E+6fF

Capacité de jonction PN Formule Éléments

Variables

Constantes

Les fonctions

Capacité de jonction

Symbole: C_j

La mesure: CapacitanceUnité: fF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Zone de jonction PN

La zone de jonction PN est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode PN.

Symbole: A_pn

La mesure: ZoneUnité: µm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Permittivité relative

La permittivité relative est une mesure de la capacité d'un matériau à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique.

Symbole: ε_r

La mesure: PermittivitéUnité: F/m

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Tension aux bornes de la jonction PN

La tension aux bornes de la jonction PN est le potentiel intégré aux bornes de la jonction PN d'un semi-conducteur sans aucune polarisation externe.

Symbole: V₀

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être comprise entre 0.3 et 0.8.

Tension de polarisation inverse

La tension de polarisation inverse est la tension externe négative appliquée à la jonction pn.

Symbole: V

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être inférieure à 0.

Concentration d'accepteur

La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.

Symbole: N_A

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/m³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Concentration des donneurs

La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.

Symbole: N_D

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/m³

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

Permittivité du silicium

La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.

Symbole: [Permitivity-silicon]

Valeur: 11.7

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

Crédits

Créé par

L'Institut National d'Ingénierie (NIE), Mysore

Priyanka G. Chalikar a créé cette formule et 10+ autres formules !

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a vérifié cette formule et 50+ autres formules !

Autres formules dans la catégorie Appareils avec composants optiques

va Angle de rotation du plan de polarisation

θ = 1.8 \cdot B \cdot L m

va Angle de l'apex

A = \tan (α)

Comment évaluer Capacité de jonction PN ?

L'évaluateur Capacité de jonction PN utilise Junction Capacitance = Zone de jonction PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittivité relative*[Permitivity-silicon])/(Tension aux bornes de la jonction PN-(Tension de polarisation inverse))*((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration d'accepteur+Concentration des donneurs))) pour évaluer Capacité de jonction, La formule de capacité de jonction PN est définie comme la capacité associée à la région d'appauvrissement d'une jonction PN en raison des charges accumulées. Il est important dans la condition de polarisation inverse car cette condition augmente le potentiel de barrière et donc la capacité qui la traverse. Capacité de jonction est désigné par le symbole C_j.

Comment évaluer Capacité de jonction PN à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Capacité de jonction PN, saisissez Zone de jonction PN (A_pn), Permittivité relative (ε_r), Tension aux bornes de la jonction PN (V₀), Tension de polarisation inverse (V), Concentration d'accepteur (N_A) & Concentration des donneurs (N_D) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Capacité de jonction PN

Quelle est la formule pour trouver Capacité de jonction PN ?

La formule de Capacité de jonction PN est exprimée sous la forme Junction Capacitance = Zone de jonction PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittivité relative*[Permitivity-silicon])/(Tension aux bornes de la jonction PN-(Tension de polarisation inverse))*((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration d'accepteur+Concentration des donneurs))). Voici un exemple : 1.9E+21 = 4.8E-12/2*sqrt((2*[Charge-e]*78*[Permitivity-silicon])/(0.6-((-4)))*((1E+22*1E+24)/(1E+22+1E+24))).

Comment calculer Capacité de jonction PN ?

Avec Zone de jonction PN (A_pn), Permittivité relative (ε_r), Tension aux bornes de la jonction PN (V₀), Tension de polarisation inverse (V), Concentration d'accepteur (N_A) & Concentration des donneurs (N_D), nous pouvons trouver Capacité de jonction PN en utilisant la formule - Junction Capacitance = Zone de jonction PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittivité relative*[Permitivity-silicon])/(Tension aux bornes de la jonction PN-(Tension de polarisation inverse))*((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration d'accepteur+Concentration des donneurs))). Cette formule utilise également les fonctions Charge d'électron, Permittivité du silicium constante(s) et Racine carrée (sqrt).

Le Capacité de jonction PN peut-il être négatif ?

Non, le Capacité de jonction PN, mesuré dans Capacitance ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de jonction PN ?

Capacité de jonction PN est généralement mesuré à l'aide de FemtoFarad[fF] pour Capacitance. Farad[fF], Kilofarad[fF], Millifarad[fF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de jonction PN peut être mesuré.

English Spanish German Russian Italian Portuguese Polish Dutch

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valeur
: Unité

Formule Capacité de jonction PN

Exemple Capacité de jonction PN

Capacité de jonction PN Solution

Capacité de jonction PN Formule Éléments

Crédits

Autres formules dans la catégorie Appareils avec composants optiques

Comment évaluer Capacité de jonction PN ?

FAQs sur Capacité de jonction PN

Variable Name