Capacitancia de unión
La capacitancia de unión se refiere a la capacitancia asociada con la unión pn formada entre dos regiones semiconductoras en un dispositivo semiconductor, como un diodo o un transistor.
Símbolo: Cj
Medición: CapacidadUnidad: fF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Área de unión PN
El área de unión PN es el límite o área de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.
Símbolo: Apn
Medición: ÁreaUnidad: µm²
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Permitividad relativa
La permitividad relativa es una medida de la capacidad de un material para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico.
Símbolo: εr
Medición: PermitividadUnidad: F/m
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje a través de la unión PN
El voltaje a través de la unión PN es el potencial incorporado a través de la unión pn de un semiconductor sin ninguna polarización externa.
Símbolo: V0
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe estar entre 0.3 y 0.8.
Voltaje de polarización inversa
El voltaje de polarización inversa es el voltaje externo negativo aplicado a la unión pn.
Símbolo: V
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser menor que 0.
Concentración de aceptor
La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Símbolo: NA
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de donantes
La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar la cantidad de electrones libres.
Símbolo: ND
Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
carga de electrones
La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.
Símbolo: [Charge-e]
Valor: 1.60217662E-19 C
Permitividad del silicio
La permitividad del silicio mide su capacidad para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico, vital en la tecnología de semiconductores.
Símbolo: [Permitivity-silicon]
Valor: 11.7