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Formule Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd Formule

vaCourant de drain global du transistor PMOS Formule

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Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET). Vérifiez FAQs

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

I_d - Courant de vidange?k'_p - Paramètre de transconductance de processus dans PMOS?WL - Ratio d'aspect?V_GS - Tension entre la porte et la source?V_T - Tension de seuil?V_DS - Tension entre drain et source?

Exemple Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS.

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot ((2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)) \cdot 2.45 - \frac{1}{2} \cdot {(2.45)}^{2})

28.8635mA = 2.1mS \cdot 6 \cdot ((2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)) \cdot 2.45V - \frac{1}{2} \cdot {(2.45V)}^{2})

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot ((2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)) \cdot 2.45 - \frac{1}{2} \cdot {(2.45)}^{2})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon () ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS ?

Premier pas Considérez la formule

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

I d = 2.1mS \cdot 6 \cdot ((2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)) \cdot 2.45V - \frac{1}{2} \cdot {(2.45V)}^{2})

L'étape suivante Convertir des unités

∴

I d = 0.0021S \cdot 6 \cdot ((2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)) \cdot 2.45V - \frac{1}{2} \cdot {(2.45V)}^{2})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

I d = 0.0021 \cdot 6 \cdot ((2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)) \cdot 2.45 - \frac{1}{2} \cdot {(2.45)}^{2})

L'étape suivante Évaluer

∴

I d = 0.02886345A

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

I d = 28.86345mA

Dernière étape Réponse arrondie

∴

I d = 28.8635mA

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS Formule Éléments

Variables

Les fonctions

Courant de vidange

Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).

Symbole: I_d

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Paramètre de transconductance de processus dans PMOS

Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.

Symbole: k'_p

La mesure: Conductivité électriqueUnité: mS

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Ratio d'aspect

Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source

Symbole: WL

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Tension entre la porte et la source

La tension entre grille et source d'un transistor à effet de champ (FET) est appelée tension grille-source (VGS). C'est un paramètre important qui affecte le fonctionnement du FET.

Symbole: V_GS

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Tension de seuil

La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

Symbole: V_T

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Tension entre drain et source

La tension entre le drain et la source est un paramètre clé dans le fonctionnement d'un transistor à effet de champ (FET) et est souvent appelée « tension drain-source » ou VDS.

Symbole: V_DS

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

modulus

Le module d'un nombre est le reste lorsque ce nombre est divisé par un autre nombre.

Syntaxe: modulus

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette formule et 600+ autres formules !

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a vérifié cette formule et 1900+ autres formules !

Autres formules pour trouver Courant de vidange

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Courant de drain global du transistor PMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

va Courant dans le canal d'inversion du PMOS

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

va Drainer le courant de la source au drain

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal P

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

va Paramètre de transconductance de processus de PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

va Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

V y = μ p \cdot E y

Comment évaluer Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS ?

L'évaluateur Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS utilise Drain Current = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2) pour évaluer Courant de vidange, Le courant de drain dans la région de triode du transistor PMOS où la source est la petite tension et le drain est la plus grande tension (ils sont interchangeables). Dans les trous de transistors PMOS sont les porteurs de charge et les flux de courant à cause des trous. Courant de vidange est désigné par le symbole I_d.

Comment évaluer Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS, saisissez Paramètre de transconductance de processus dans PMOS (k'_p), Ratio d'aspect (WL), Tension entre la porte et la source (V_GS), Tension de seuil (V_T) & Tension entre drain et source (V_DS) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

Quelle est la formule pour trouver Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS ?

La formule de Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS est exprimée sous la forme Drain Current = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2). Voici un exemple : 28863.45 = 0.0021*6*((2.86-modulus(0.7))*2.45-1/2*(2.45)^2).

Comment calculer Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS ?

Avec Paramètre de transconductance de processus dans PMOS (k'_p), Ratio d'aspect (WL), Tension entre la porte et la source (V_GS), Tension de seuil (V_T) & Tension entre drain et source (V_DS), nous pouvons trouver Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS en utilisant la formule - Drain Current = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2). Cette formule utilise également la ou les fonctions Module (module).

Quelles sont les autres façons de calculer Courant de vidange ?

Voici les différentes façons de calculer Courant de vidange-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

Le Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS peut-il être négatif ?

Non, le Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS ?

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS peut être mesuré.

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Formule Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

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​vaCourant de drain global du transistor PMOS Formule

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