FormulaDen logo
FormulaDen.com
🔍
La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Fx Copie
LaTeX Copie
Le courant de sortie est le courant que l'amplificateur tire de la source de signal. Vérifiez FAQs
io=(μe⋅Cox⋅(WcL)⋅(Vox-Vt))⋅Vds
io - Courant de sortie?μe - Mobilité de l'électron?Cox - Capacité d'oxyde?Wc - Largeur du canal?L - Longueur du canal?Vox - Tension aux bornes de l'oxyde?Vt - Tension de seuil?Vds - Tension de saturation entre drain et source?

Exemple Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde.

14.6347Edit=(0.012Edit⋅0.001Edit⋅(10.15Edit3.25Edit)⋅(3.775Edit-2Edit))⋅220Edit
Solution
Copie
Réinitialiser
Partager
Tu es là -

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde ?

Premier pas Considérez la formule
io=(μe⋅Cox⋅(WcL)⋅(Vox-Vt))⋅Vds
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ io=(0.012m²/V*s⋅0.001F/m²⋅(10.15μm3.25μm)⋅(3.775V-2V))⋅220V
L'étape suivante Convertir des unités
∴ io=(0.012m²/V*s⋅0.001F/m²⋅(1E-5m3.3E-6m)⋅(3.775V-2V))⋅220V
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ io=(0.012⋅0.001⋅(1E-53.3E-6)⋅(3.775-2))⋅220
L'étape suivante Évaluer
∴io=0.0146347384615385A
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
∴io=14.6347384615385mA
Dernière étape Réponse arrondie
∴io=14.6347mA

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde Formule Éléments

Variables
Courant de sortie
Le courant de sortie est le courant que l'amplificateur tire de la source de signal.
Symbole: io
La mesure: Courant électriqueUnité: mA
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Mobilité de l'électron
La mobilité des électrons est définie comme l’ampleur de la vitesse de dérive moyenne par unité de champ électrique.
Symbole: μe
La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Capacité d'oxyde
la capacité de l'oxyde est la capacité du condensateur à plaques parallèles par unité de surface de grille.
Symbole: Cox
La mesure: Capacité d'oxyde par unité de surfaceUnité: F/m²
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Largeur du canal
La largeur du canal est la dimension du canal du MOSFET.
Symbole: Wc
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Longueur du canal
La longueur du canal, L, qui est la distance entre les deux jonctions -p.
Symbole: L
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension aux bornes de l'oxyde
La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
Symbole: Vox
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de seuil
La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Symbole: Vt
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de saturation entre drain et source
La tension de saturation entre le drain et la source dans un transistor est une tension entre le collecteur et l'émetteur nécessaire à la saturation.
Symbole: Vds
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette formule et 600+ autres formules !
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a vérifié cette formule et 1900+ autres formules !

Autres formules dans la catégorie Caractéristiques de l'amplificateur à transistor

​va Tension de drain instantanée totale
Vd=Vfc-Rd⋅id
​va Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation
ids=12⋅k'n⋅(WcL)⋅(Vov)2

Comment évaluer Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde ?

L'évaluateur Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde utilise Output Current = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source pour évaluer Courant de sortie, Le courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde détermine l'intensité du champ électrique à travers l'oxyde de grille. Ce champ électrique influence la répartition des porteurs de charge dans le substrat semi-conducteur sous l'oxyde. Courant de sortie est désigné par le symbole io.

Comment évaluer Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde, saisissez Mobilité de l'électron (μe), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur du canal (Wc), Longueur du canal (L), Tension aux bornes de l'oxyde (Vox), Tension de seuil (Vt) & Tension de saturation entre drain et source (Vds) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Quelle est la formule pour trouver Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde ?
La formule de Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde est exprimée sous la forme Output Current = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source. Voici un exemple : 14634.74 = (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220.
Comment calculer Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde ?
Avec Mobilité de l'électron (μe), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur du canal (Wc), Longueur du canal (L), Tension aux bornes de l'oxyde (Vox), Tension de seuil (Vt) & Tension de saturation entre drain et source (Vds), nous pouvons trouver Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde en utilisant la formule - Output Current = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source.
Le Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde peut-il être négatif ?
Non, le Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde ?
Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde peut être mesuré.
© 2024-2026. Developed & Maintained by softUsvista Inc.
Copied!