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Fórmula Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

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Corrente de saída é a corrente que o amplificador consome da fonte do sinal. Verifique FAQs

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

i_o - Corrente de saída?μ_e - Mobilidade do Elétron?C_ox - Capacitância de Óxido?W_c - Largura do canal?L - Comprimento do canal?V_ox - Tensão através do óxido?V_t - Tensão de limiar?V_ds - Tensão de saturação entre dreno e fonte?

Exemplo de Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido.

14.6347 = (0.012 \cdot 0.001 \cdot (\frac{10.15}{3.25}) \cdot (3.775 - 2)) \cdot 220

14.6347mA = (0.012m²/V*s \cdot 0.001F/m² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm}) \cdot (3.775V - 2V)) \cdot 220V

14.6347 = (0.012 \cdot 0.001 \cdot (\frac{10.15}{3.25}) \cdot (3.775 - 2)) \cdot 220

Dica: Use o ícone de lápis () acima para editar valores de entrada e unidades.

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Lar » Engenharia » Eletrônicos » Amplificadores » Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido?

Primeiro passo Considere a fórmula

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

i o = (0.012m²/V*s \cdot 0.001F/m² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm}) \cdot (3.775V - 2V)) \cdot 220V

Próxima Etapa Converter unidades

∴

i o = (0.012m²/V*s \cdot 0.001F/m² \cdot (\frac{1E-5m}{3.3E-6m}) \cdot (3.775V - 2V)) \cdot 220V

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

i o = (0.012 \cdot 0.001 \cdot (\frac{1E-5}{3.3E-6}) \cdot (3.775 - 2)) \cdot 220

Próxima Etapa Avalie

∴

i o = 0.0146347384615385A

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

i o = 14.6347384615385mA

Último passo Resposta de arredondamento

∴

i o = 14.6347mA

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido Fórmula Elementos

Variáveis

Corrente de saída

Corrente de saída é a corrente que o amplificador consome da fonte do sinal.

Símbolo: i_o

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Mobilidade do Elétron

A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.

Símbolo: μ_e

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Capacitância de Óxido

capacitância de óxido é a capacitância do capacitor de placa paralela por área de porta unitária.

Símbolo: C_ox

Medição: Capacitância de óxido por unidade de áreaUnidade: F/m²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Largura do canal

Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Comprimento do canal

O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Tensão através do óxido

A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.

Símbolo: V_ox

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Tensão de limiar

A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.

Símbolo: V_t

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Tensão de saturação entre dreno e fonte

A tensão de saturação entre o dreno e a fonte em um transistor é uma tensão do coletor e do emissor necessária para a saturação.

Símbolo: V_ds

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Créditos

Creator Image

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta fórmula e mais 600+ fórmulas!

Verifier Image

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta fórmula e mais 1900+ fórmulas!

Outras fórmulas na categoria Características do amplificador transistorizado

Ir Tensão de dreno instantânea total

V d = V fc - R d \cdot i d

Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

Ver mais

Como avaliar Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido?

O avaliador Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido usa Output Current = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte para avaliar Corrente de saída, A corrente que flui através do canal induzido no transistor, dada a tensão de óxido, determina a intensidade do campo elétrico através do óxido da porta. Este campo elétrico influencia a distribuição de portadores de carga no substrato semicondutor abaixo do óxido. Corrente de saída é denotado pelo símbolo i_o.

Como avaliar Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido, insira Mobilidade do Elétron (μ_e), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura do canal (W_c), Comprimento do canal (L), Tensão através do óxido (V_ox), Tensão de limiar (V_t) & Tensão de saturação entre dreno e fonte (V_ds) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Qual é a fórmula para encontrar Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido?

A fórmula de Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido é expressa como Output Current = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte. Aqui está um exemplo: 14634.74 = (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220.

Como calcular Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido?

Com Mobilidade do Elétron (μ_e), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura do canal (W_c), Comprimento do canal (L), Tensão através do óxido (V_ox), Tensão de limiar (V_t) & Tensão de saturação entre dreno e fonte (V_ds) podemos encontrar Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido usando a fórmula - Output Current = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte.

O Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido pode ser negativo?

Não, o Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido?

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido pode ser medido.

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