Reducción de voltaje de umbral de canal corto VLSI Fórmula

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La reducción de voltaje de umbral de canal corto se define como una reducción en el voltaje de umbral de MOSFET debido al efecto de canal corto. Marque FAQs

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

ΔV_T0 - Reducción de voltaje de umbral de canal corto?N_A - Concentración de aceptor?Φ_s - Potencial de superficie?x_j - Profundidad de unión?C_oxide - Capacitancia de óxido por unidad de área?L - Longitud del canal?x_dS - Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente?x_dD - Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje?[Charge-e] - carga de electrones?[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio?[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío?

Ejemplo de Reducción de voltaje de umbral de canal corto VLSI

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Reducción de voltaje de umbral de canal corto VLSI con Valores.

Así es como se ve la ecuación Reducción de voltaje de umbral de canal corto VLSI con unidades.

Así es como se ve la ecuación Reducción de voltaje de umbral de canal corto VLSI.

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

0.4672V = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

Consejo: Utilice el icono de lápiz () de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Reducción de voltaje de umbral de canal corto VLSI Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Reducción de voltaje de umbral de canal corto VLSI?

Primer paso Considere la fórmula

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

Próximo paso Convertir unidades

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+221/m³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2E-6m}{0.0007F/m² \cdot 2 \cdot 2.5E-6m} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7m}{2E-6m}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7m}{2E-6m}} - 1))

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+22 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2E-6}{0.0007 \cdot 2 \cdot 2.5E-6} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7}{2E-6}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7}{2E-6}} - 1))

Próximo paso Evaluar

∴

ΔV T0 = 0.467200582407994V

Último paso Respuesta de redondeo

∴

ΔV T0 = 0.4672V

Reducción de voltaje de umbral de canal corto VLSI Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Reducción de voltaje de umbral de canal corto

La reducción de voltaje de umbral de canal corto se define como una reducción en el voltaje de umbral de MOSFET debido al efecto de canal corto.

Símbolo: ΔV_T0

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V