Spanningsreductie drempelwaarde kort kanaal
Short Channel Threshold Voltage Reduction wordt gedefinieerd als een verlaging van de drempelspanning van de MOSFET als gevolg van een kort kanaaleffect.
Symbool: ΔVT0
Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Acceptorconcentratie
Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Symbool: NA
Meting: Drager ConcentratieEenheid: 1/cm³
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Oppervlaktepotentieel
Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.
Symbool: Φs
Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Verbindingsdiepte
Verbindingsdiepte wordt gedefinieerd als de afstand vanaf het oppervlak van een halfgeleidermateriaal tot het punt waar een significante verandering in de concentratie van doteringsatomen optreedt.
Symbool: xj
Meting: LengteEenheid: μm
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de capaciteit per oppervlakte-eenheid van de isolerende oxidelaag die de metalen poort scheidt van het halfgeleidermateriaal.
Symbool: Coxide
Meting: Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheidEenheid: μF/cm²
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Kanaallengte
Kanaallengte verwijst naar de fysieke lengte van het halfgeleidermateriaal tussen de source- en drain-terminals binnen de transistorstructuur.
Symbool: L
Meting: LengteEenheid: μm
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Pn-verbindingsdepletiediepte met bron
Pn-junctie-uitputtingsdiepte met bron wordt gedefinieerd als het gebied rond een pn-junctie waar ladingsdragers zijn uitgeput als gevolg van de vorming van een elektrisch veld.
Symbool: xdS
Meting: LengteEenheid: μm
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer
Pn-verbindingsdepletiediepte met drain wordt gedefinieerd als de uitbreiding van het depletiegebied in het halfgeleidermateriaal nabij de drainterminal.
Symbool: xdD
Meting: LengteEenheid: μm
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Lading van elektron
De lading van een elektron is een fundamentele fysische constante, die de elektrische lading vertegenwoordigt die wordt gedragen door een elektron, het elementaire deeltje met een negatieve elektrische lading.
Symbool: [Charge-e]
Waarde: 1.60217662E-19 C
Permittiviteit van silicium
De permittiviteit van silicium meet het vermogen ervan om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld, wat essentieel is in de halfgeleidertechnologie.
Symbool: [Permitivity-silicon]
Waarde: 11.7
Permittiviteit van vacuüm
Permittiviteit van vacuüm is een fundamentele fysische constante die het vermogen van een vacuüm beschrijft om de transmissie van elektrische veldlijnen mogelijk te maken.
Symbool: [Permitivity-vacuum]
Waarde: 8.85E-12 F/m