Stromverbrauch
Der Drain-Strom ist als Strom unterhalb des Schwellenwerts definiert, der normalerweise unter dem Schwellenstrom liegt und sich exponentiell mit der Gate-Source-Spannung ändert.
Symbol: ID
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Mobilität des Elektrons
Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.
Symbol: μn
Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gate-Oxid-Kapazität
Die Gate-Oxidkapazität ist die Fähigkeit einer Komponente oder eines Schaltkreises, Energie in Form einer elektrischen Ladung zu sammeln und zu speichern.
Symbol: Cox
Messung: KapazitätEinheit: nF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Breite der Torverbindung
Die Gate-Übergangsbreite ist als die Breite des Gate-Übergangs in einem Halbleiterbauelement definiert.
Symbol: Wgate
Messung: LängeEinheit: μm
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Torlänge
Die Gate-Länge ist einfach die physische Gate-Länge. Die Kanallänge ist der Weg, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.
Symbol: Lg
Messung: LängeEinheit: nm
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Gate-Source-Spannung
Die Gate-Source-Spannung eines Transistors ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.
Symbol: Vgs
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Grenzspannung
Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Symbol: Vth
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Drain-Source-Sättigungsspannung
Die Drain-Source-Sättigungsspannung ist die Spannungsdifferenz zwischen Emitter- und Kollektoranschluss, die zum Einschalten eines MOSFET erforderlich ist.
Symbol: Vds
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.