Drenar Corrente
A corrente de dreno é definida como a corrente abaixo do limite que geralmente está abaixo da corrente limite e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.
Símbolo: ID
Medição: Corrente elétricaUnidade: mA
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Mobilidade do Elétron
A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.
Símbolo: μn
Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância de óxido de portão
Gate Oxide Capacitância é a capacidade de um componente ou circuito para coletar e armazenar energia na forma de uma carga elétrica.
Símbolo: Cox
Medição: CapacitânciaUnidade: nF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Largura da junção do portão
Largura da junção de porta é definida como a largura da junção de porta em um dispositivo semicondutor.
Símbolo: Wgate
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Comprimento do portão
O comprimento do portão é simplesmente o comprimento físico do portão. O comprimento do canal é o caminho que liga os portadores de carga entre o dreno e a fonte.
Símbolo: Lg
Medição: ComprimentoUnidade: nm
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Tensão da fonte do portão
A tensão da fonte de porta de um transistor é a tensão que cai no terminal da fonte de porta do transistor.
Símbolo: Vgs
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão de limiar
A tensão limite do transistor é a tensão mínima necessária para criar um caminho de condução entre os terminais de fonte e dreno.
Símbolo: Vth
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão de saturação da fonte de dreno
A tensão de saturação da fonte de dreno é a diferença de tensão entre o terminal emissor e o coletor necessária para ligar um MOSFET.
Símbolo: Vds
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.