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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS Formel

geStromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung Formel

geStromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS Formel

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Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt. Überprüfen Sie FAQs

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

I_d - Drainstrom im NMOS?k'_n - Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten?W_c - Breite des Kanals?L - Länge des Kanals?V_gs - Gate-Source-Spannung?V_T - Grenzspannung?V_ds - Drain-Quellenspannung?

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

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So sieht die Gleichung Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS aus:.

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {(8.43)}^{2})

239.693mA = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {(8.43V)}^{2})

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {(8.43)}^{2})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol () oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I d = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {(8.43V)}^{2})

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

I d = 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {(8.43V)}^{2})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I d = 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {(8.43)}^{2})

Nächster Schritt Auswerten

∴

I d = 0.239693A

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

I d = 239.693mA

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS Formel Elemente

Variablen

Drainstrom im NMOS

Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.

Symbol: I_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten

Der Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.

Symbol: k'_n

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Breite des Kanals

Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.

Symbol: W_c

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Länge des Kanals

Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.

Symbol: L

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Gate-Source-Spannung

Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.

Symbol: V_gs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Grenzspannung

Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.

Symbol: V_T

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Drain-Quellenspannung

Drain-Source-Spannung ist ein elektrischer Begriff, der in der Elektronik und insbesondere bei Feldeffekttransistoren verwendet wird. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des FET.

Symbol: V_ds

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diese Formel und 600+ weitere Formeln erstellt!

Verifiziert von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diese Formel und 1900+ weitere Formeln verifiziert!

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Wie wird Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS ausgewertet?

Der Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS-Evaluator verwendet Drain Current in NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2), um Drainstrom im NMOS, Der Strom, der in die Drain-Quelle im Triodenbereich des NMOS eintritt, wenn Vgs gegeben ist, kann durch Multiplizieren der Ladung pro Kanallängeneinheit mit der Elektronendriftgeschwindigkeit ermittelt werden auszuwerten. Drainstrom im NMOS wird durch das Symbol I_d gekennzeichnet.

Wie wird Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS zu verwenden, geben Sie Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten (k'_n), Breite des Kanals (W_c), Länge des Kanals (L), Gate-Source-Spannung (V_gs), Grenzspannung (V_T) & Drain-Quellenspannung (V_ds) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS?

Die Formel von Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS wird als Drain Current in NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*(8.43)^2).

Wie berechnet man Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS?

Mit Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten (k'_n), Breite des Kanals (W_c), Länge des Kanals (L), Gate-Source-Spannung (V_gs), Grenzspannung (V_T) & Drain-Quellenspannung (V_ds) können wir Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS mithilfe der Formel - Drain Current in NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Drainstrom im NMOS?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Drainstrom im NMOS-

Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Drain Source Voltage)^2

Kann Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS verwendet?

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS gemessen werden kann.

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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS Formel

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