Drenar corrente em NMOS
A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Símbolo: Id
Medição: Corrente elétricaUnidade: mA
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS
O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Símbolo: k'n
Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Largura do Canal
A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Símbolo: Wc
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Comprimento do Canal
O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Símbolo: L
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Tensão da fonte do portão
A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.
Símbolo: Vgs
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Tensão de limiar
A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Símbolo: VT
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão da Fonte de Dreno
Drain Source Voltage é um termo elétrico usado em eletrônica e especificamente em transistores de efeito de campo. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais Drain e Source do FET.
Símbolo: Vds
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.