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Formule Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

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Le courant de drain fait référence au courant circulant entre les bornes de drain et de source du transistor lorsqu'il est en fonctionnement. Vérifiez FAQs

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

I_d - Courant de vidange?β - Paramètre de transconductance?V_gs - Tension de source de porte?V_th - Tension de seuil avec polarisation de corps nulle?λ_i - Facteur de modulation de longueur de canal?V_ds - Tension de source de drain?

Exemple Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation.

0.0137 = \frac{0.0025}{2} \cdot {(2.45 - 3.4)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24)

0.0137A = \frac{0.0025S}{2} \cdot {(2.45V - 3.4V)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24V)

0.0137 = \frac{0.0025}{2} \cdot {(2.45 - 3.4)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24)

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon () ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Solution

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Maison » Ingénierie » Électronique » Circuits intégrés (CI) » Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation ?

Premier pas Considérez la formule

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

I d = \frac{0.0025S}{2} \cdot {(2.45V - 3.4V)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24V)

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

I d = \frac{0.0025}{2} \cdot {(2.45 - 3.4)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24)

L'étape suivante Évaluer

∴

I d = 0.013718A

Dernière étape Réponse arrondie

∴

I d = 0.0137A

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation Formule Éléments

Variables

Courant de vidange

Le courant de drain fait référence au courant circulant entre les bornes de drain et de source du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.

Symbole: I_d

La mesure: Courant électriqueUnité: A

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Paramètre de transconductance

Le paramètre de transconductance est défini comme le rapport entre la modification du courant de sortie et la modification de la tension d'entrée d'un appareil.

Symbole: β

La mesure: Conductivité électriqueUnité: S

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Tension de source de porte

La tension source de grille fait référence à la différence de potentiel entre la borne de grille et la borne source de l'appareil. Cette tension joue un rôle crucial dans le contrôle de la conductivité du MOSFET.

Symbole: V_gs

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Tension de seuil avec polarisation de corps nulle

La tension de seuil avec polarisation corporelle nulle fait référence à la tension de seuil lorsqu'aucune polarisation externe n'est appliquée au substrat semi-conducteur (borne du corps).

Symbole: V_th

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Facteur de modulation de longueur de canal

Facteur de modulation de longueur de canal dans lequel la longueur effective du canal augmente avec une augmentation de la tension drain-source.

Symbole: λ_i

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Tension de source de drain

La tension de source de drain est la tension aux bornes du drain et de la source.

Symbole: V_ds

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Crédits

Creator Image

Créé par Banu Prakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

Banu Prakash a créé cette formule et 50+ autres formules !

Verifier Image

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a vérifié cette formule et 50+ autres formules !

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Comment évaluer Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation ?

L'évaluateur Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation utilise Drain Current = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain) pour évaluer Courant de vidange, Le courant de drain du MOSFET dans la région de saturation est défini comme le phénomène dans lequel la longueur effective du canal augmente avec une augmentation de la tension drain-source. Courant de vidange est désigné par le symbole I_d.

Comment évaluer Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation, saisissez Paramètre de transconductance (β), Tension de source de porte (V_gs), Tension de seuil avec polarisation de corps nulle (V_th), Facteur de modulation de longueur de canal (λ_i) & Tension de source de drain (V_ds) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Quelle est la formule pour trouver Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation ?

La formule de Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation est exprimée sous la forme Drain Current = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain). Voici un exemple : 0.013718 = 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24).

Comment calculer Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation ?

Avec Paramètre de transconductance (β), Tension de source de porte (V_gs), Tension de seuil avec polarisation de corps nulle (V_th), Facteur de modulation de longueur de canal (λ_i) & Tension de source de drain (V_ds), nous pouvons trouver Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation en utilisant la formule - Drain Current = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain).

Le Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation peut-il être négatif ?

Non, le Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation ?

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation est généralement mesuré à l'aide de Ampère[A] pour Courant électrique. Milliampère[A], Microampère[A], centiampère[A] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation peut être mesuré.

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