Maximale Eingangsspannung CMOS
Die maximale Eingangsspannung CMOS ist der höchste Spannungspegel, der an den Eingangsanschluss eines CMOS-Geräts angelegt werden kann, ohne dessen interne Komponenten zu beschädigen.
Symbol: VIL
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Ausgangsspannung für maximalen Eingang
Die Ausgangsspannung bei maximalem Eingang ist der Spannungspegel, der von einem Gerät oder Schaltkreis an seinem Ausgangsanschluss erzeugt wird, wenn die maximal zulässige Eingangsspannung angelegt wird.
Symbol: Voutput
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias
Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias CMOS ist definiert als die Schwellenspannung des PMOS, wenn der Substratanschluss auf Massespannung (0) liegt.
Symbol: VT0,p
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte zwischen -10 und 0 liegen.
Versorgungsspannung
Unter Versorgungsspannung versteht man den Spannungspegel, der von einer Stromquelle an einen Stromkreis oder ein Gerät geliefert wird und der als Potentialdifferenz für Stromfluss und Betrieb dient.
Symbol: VDD
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Steilheitsverhältnis
Das Steilheitsverhältnis ist das Verhältnis der Steilheit eines Bauelements (z. B. Transistor) zu einem anderen und wird häufig verwendet, um die Leistung oder das Verhalten eines Bauelements in Schaltkreisen zu vergleichen oder zu charakterisieren.
Symbol: Kr
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Schwellenspannung von NMOS ohne Body-Bias
Die Schwellenspannung von NMOS ohne Body-Vorspannung ist die minimale Eingangsspannung, die zum Schalten eines NMOS-Transistors erforderlich ist, wenn keine zusätzliche Vorspannung an das Substrat (Body) angelegt wird.
Symbol: VT0,n
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.