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Kollektorstrom des PNP-Transistors Formel

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Der Kollektorstrom ist der Strom, der durch den Kollektoranschluss des Transistors fließt und der vom Transistor verstärkt wird. Überprüfen Sie FAQs

I c = \frac{q \cdot A \cdot N d \cdot D p}{W b}

I_c - Kollektorstrom?q - Aufladung?A - Emitterbasis-Verbindungsbereich?N_d - Gleichgewichtskonzentration des N-Typs?D_p - Diffusionskonstante für PNP?W_b - Basisbreite?

Kollektorstrom des PNP-Transistors Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Kollektorstrom des PNP-Transistors aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Kollektorstrom des PNP-Transistors aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Kollektorstrom des PNP-Transistors aus:.

4.9219 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 45 \cdot 100}{8}

4.9219A = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 451/cm³ \cdot 100cm²/s}{8cm}

4.9219 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 45 \cdot 100}{8}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol () oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Kollektorstrom des PNP-Transistors Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Kollektorstrom des PNP-Transistors?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I c = \frac{q \cdot A \cdot N d \cdot D p}{W b}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I c = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 451/cm³ \cdot 100cm²/s}{8cm}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

I c = \frac{0.005C \cdot 0.0002m² \cdot 4.5E+71/m³ \cdot 0.01m²/s}{0.08m}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I c = \frac{0.005 \cdot 0.0002 \cdot 4.5E+7 \cdot 0.01}{0.08}

Nächster Schritt Auswerten

∴

I c = 4.921875A

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

I c = 4.9219A

Kollektorstrom des PNP-Transistors Formel Elemente

Variablen

Kollektorstrom

Der Kollektorstrom ist der Strom, der durch den Kollektoranschluss des Transistors fließt und der vom Transistor verstärkt wird.

Symbol: I_c

Messung: Elektrischer StromEinheit: A

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Aufladung

Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.

Symbol: q

Messung: Elektrische LadungEinheit: mC

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Emitterbasis-Verbindungsbereich

Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.

Symbol: A

Messung: BereichEinheit: cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Gleichgewichtskonzentration des N-Typs

Die Gleichgewichtskonzentration des N-Typs entspricht der Dichte der Donoratome, da die Elektronen für die Leitung ausschließlich vom Donoratom bereitgestellt werden.

Symbol: N_d

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Diffusionskonstante für PNP

Die Diffusionskonstante für PNP beschreibt, wie leicht diese Minoritätsträger durch das Halbleitermaterial diffundieren, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird.

Symbol: D_p

Messung: DiffusivitätEinheit: cm²/s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Basisbreite

Die Basisbreite ist ein wichtiger Parameter, der die Eigenschaften des Transistors beeinflusst, insbesondere im Hinblick auf seinen Betrieb und seine Geschwindigkeit.

Symbol: W_b

Messung: LängeEinheit: cm

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Credits

Creator Image

Erstellt von Rahul Gupta

Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta hat diese Formel und 25+ weitere Formeln erstellt!

Verifier Image

Verifiziert von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diese Formel und 100+ weitere Formeln verifiziert!

Andere Formeln in der Kategorie Bipolare IC-Herstellung

ge Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

ge Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

ge Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

ge Leitfähigkeit vom N-Typ

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Mehr sehen

Wie wird Kollektorstrom des PNP-Transistors ausgewertet?

Der Kollektorstrom des PNP-Transistors-Evaluator verwendet Collector Current = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite, um Kollektorstrom, Die Formel für den Kollektorstrom eines PNP-Transistors ist als Parameter für den Betrieb eines Transistors definiert und wird zur Analyse und zum Entwurf von Transistorschaltungen verwendet. Die Stromverstärkung eines Transistors ist im Datenblatt angegeben und kann je nach Transistormodell variieren. Verschiedene Betriebsfaktoren, wie z. B. die Eingangsvorspannung, der Lastwiderstand und die Eigenschaften des Transistors, wirken sich auf den Kollektorstrom aus auszuwerten. Kollektorstrom wird durch das Symbol I_c gekennzeichnet.

Wie wird Kollektorstrom des PNP-Transistors mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Kollektorstrom des PNP-Transistors zu verwenden, geben Sie Aufladung (q), Emitterbasis-Verbindungsbereich (A), Gleichgewichtskonzentration des N-Typs (N_d), Diffusionskonstante für PNP (D_p) & Basisbreite (W_b) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Kollektorstrom des PNP-Transistors

Wie lautet die Formel zum Finden von Kollektorstrom des PNP-Transistors?

Die Formel von Kollektorstrom des PNP-Transistors wird als Collector Current = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 4.921875 = (0.005*0.000175*45000000*0.01)/0.08.

Wie berechnet man Kollektorstrom des PNP-Transistors?

Mit Aufladung (q), Emitterbasis-Verbindungsbereich (A), Gleichgewichtskonzentration des N-Typs (N_d), Diffusionskonstante für PNP (D_p) & Basisbreite (W_b) können wir Kollektorstrom des PNP-Transistors mithilfe der Formel - Collector Current = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite finden.

Kann Kollektorstrom des PNP-Transistors negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Kollektorstrom des PNP-Transistors kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Kollektorstrom des PNP-Transistors verwendet?

Kollektorstrom des PNP-Transistors wird normalerweise mit Ampere[A] für Elektrischer Strom gemessen. Milliampere[A], Mikroampere[A], Centiampere[A] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kollektorstrom des PNP-Transistors gemessen werden kann.

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